产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX48N60P
仓库库存编号:
IXFX48N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 56A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M45BVFRG
仓库库存编号:
APT20M45BVFRG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 150V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N15Q
仓库库存编号:
IXFH80N15Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 45.8A(Tc) 368W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60NF
仓库库存编号:
FCH47N60NF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 140A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 140A(Tc) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH140P10T
仓库库存编号:
IXTH140P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 68A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 200V 68A(Tc) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH68P20T
仓库库存编号:
IXTH68P20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50Q
仓库库存编号:
IXFH30N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50
仓库库存编号:
IXFH30N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N90
仓库库存编号:
IXFH13N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 60A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY60NK30Z
仓库库存编号:
497-4432-5-ND
别名:497-4432-5
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 88A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 88A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH88N20Q
仓库库存编号:
IXFH88N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 190A 830W TO247AD
详细描述:IGBT PT 600V 190A 830W Through Hole TO-247 (IXXH)
型号:
IXXH100N60C3
仓库库存编号:
IXXH100N60C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 14A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N80
仓库库存编号:
IXFH14N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 250V 60A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH60N25Q
仓库库存编号:
IXFH60N25Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 150A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 150A(Tc) 890W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH150N20T
仓库库存编号:
IXFH150N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 14A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH14N80
仓库库存编号:
IXTH14N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 36A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH36N55Q
仓库库存编号:
IXFH36N55Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 329W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5016BLLG
仓库库存编号:
APT5016BLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH75N10L2
仓库库存编号:
IXTH75N10L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M38BVRG
仓库库存编号:
APT20M38BVRG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 145A 400W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 145A 400W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXXR100N60B3H1
仓库库存编号:
IXXR100N60B3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 160A 961W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247
型号:
APT70GR120B2
仓库库存编号:
APT70GR120B2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 50A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 50A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH28N120BD1
仓库库存编号:
IXGH28N120BD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N50
仓库库存编号:
IXTH30N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1700V 2A(Tj) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH2N170D2
仓库库存编号:
IXTH2N170D2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
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