产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 120A(Tc) 700W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N25P
仓库库存编号:
IXFX120N25P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GP60BG
仓库库存编号:
APT30GP60BG-ND
别名:APT30GP60BGMP
APT30GP60BGMP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 62A(Tc) 390W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX62N25
仓库库存编号:
IXFX62N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 94A(Tc) 1040W(Tc) TO-247
型号:
IXFH94N30P3
仓库库存编号:
IXFH94N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N30
仓库库存编号:
IXTH50N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH11N80
仓库库存编号:
IXFH11N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 12A(Tc) 543W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N120P
仓库库存编号:
IXFH12N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 30A(Tc) 200W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N25
仓库库存编号:
IXTH30N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 500V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH10P50
仓库库存编号:
IXTH10P50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) 695W(Tc) TO-247
型号:
IXTH10N100D2
仓库库存编号:
IXTH10N100D2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 543W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT40GP60BG
仓库库存编号:
APT40GP60BG-ND
别名:APT40GP60BGMI
APT40GP60BGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 368W(Tc) TO-247-3
型号:
FCH47N60N
仓库库存编号:
FCH47N60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 48A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH48N15
仓库库存编号:
IXTH48N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1600V 75A 300W TO247
详细描述:IGBT NPT 1600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH25N160
仓库库存编号:
IXGH25N160-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 360W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 75A 360W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH40N120A2
仓库库存编号:
IXGH40N120A2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 75V 520A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX520N075T2
仓库库存编号:
IXFX520N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247
详细描述:IGBT 1200V 56A 290W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXYR50N120C3D1
仓库库存编号:
IXYR50N120C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 60A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH60N20
仓库库存编号:
IXFH60N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH20N60
仓库库存编号:
IXTH20N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 50A TO247
详细描述:IGBT 1200V 50A Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH30N120BD1
仓库库存编号:
IXGH30N120BD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH10N100D
仓库库存编号:
IXTH10N100D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N60Q
仓库库存编号:
IXFH30N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH75N10Q
仓库库存编号:
IXFH75N10Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W PLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX72N60C3H1
仓库库存编号:
IXGX72N60C3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
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IGBT 600V 75A 540W PLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX72N60B3H1
仓库库存编号:
IXGX72N60B3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-247-3,
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