产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX24N100Q3
仓库库存编号：
IXFX24N100Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N50Q3
仓库库存编号：
IXFX64N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR64N50Q3
仓库库存编号：
IXFR64N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N80Q3
仓库库存编号：
IXFX32N80Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 520W（Tc） TO-247
型号：
IXTH3N200P3HV
仓库库存编号：
IXTH3N200P3HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N100Q3
仓库库存编号：
IXFX32N100Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR32N80Q3
仓库库存编号：
IXFR32N80Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX110N20L2
仓库库存编号：
IXTX110N20L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N60Q3
仓库库存编号：
IXFX64N60Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 568W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR64N60Q3
仓库库存编号：
IXFR64N60Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 570W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR32N100Q3
仓库库存编号：
IXFR32N100Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 520W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH2N300P3HV
仓库库存编号：
IXTH2N300P3HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX22N100L
仓库库存编号：
IXTX22N100L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE 650V 20A RAPID2 TO247-3
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 10A Through Hole TO-247-3
型号：
IDW20C65D2XKSA1
仓库库存编号：
IDW20C65D2XKSA1-ND
别名：SP001174446
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R280P6FKSA1
仓库库存编号：
IPW60R280P6FKSA1-ND
别名：SP001017086
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R230P6FKSA1
仓库库存编号：
IPW60R230P6FKSA1-ND
别名：SP001017088
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 80A 305W TO247-3
详细描述：IGBT Trench 600V 80A 305W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IHW40N60R
仓库库存编号：
IHW40N60R-ND
别名：IHW40N60RFKSA1
SP000357222
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 428W TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 140A 428W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IGW75N60H3
仓库库存编号：
IGW75N60H3-ND
别名：IGW75N60H3FKSA1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 350W（Tc） TO-247
型号：
STW56N60M2
仓库库存编号：
497-15577-5-ND
别名：497-15577-5
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW13NK100Z
仓库库存编号：
497-3556-5-ND
别名：497-3556-5
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW42N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15883-5-ND
别名：497-15883-5
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 318W（Tc） HiP247?
型号：
SCT50N120
仓库库存编号：
497-16598-5-ND
别名：497-16598-5
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
详细描述：通孔 N 沟道 138A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
型号：
STY145N65M5
仓库库存编号：
497-13638-5-ND
别名：497-13638-5
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
详细描述：IGBT 1200V 50A 192W Through Hole TO-247
型号：
NGTB25N120IHLWG
仓库库存编号：
NGTB25N120IHLWGOS-ND
别名：NGTB25N120IHLWGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 100V 20A TO247
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 20A 4MHz 160W Through Hole TO-247
型号：
MJH6284G
仓库库存编号：
MJH6284GOS-ND
别名：MJH6284GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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