以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 63A 208W TO247
  详细描述：IGBT 600V 63A 208W Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG30N60C3D
  仓库库存编号：HGTG30N60C3D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 660W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH46N65X2
  仓库库存编号：IXFH46N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 521W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
  
  型号：APT25GR120BD15
  仓库库存编号：APT25GR120BD15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 540W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH20N85X
  仓库库存编号：IXFH20N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1.7KV 36A TO247
  详细描述：IGBT 1700V 36A 280W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH10N170C
  仓库库存编号：IXYH10N170C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 62A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 780W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH62N65X2
  仓库库存编号：IXTH62N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1.7KV 40A TO247
  详细描述：IGBT 1700V 40A 310W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH16N170C
  仓库库存编号：IXYH16N170C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 110W（Tc） TO-247（IXFJ）
  
  型号：IXFJ20N85X
  仓库库存编号：IXFJ20N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 695W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16N20D2
  仓库库存编号：IXTH16N20D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 30A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N85X
  仓库库存编号：IXFH30N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH6N100F
  仓库库存编号：IXFH6N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 104W（Tc） TO-247（IXFJ）
  
  型号：IXFJ80N25X3
  仓库库存编号：IXFJ80N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH120N25X3
  仓库库存编号：IXFH120N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW43NM60N
  仓库库存编号：497-8460-5-ND
  别名：497-8460-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1.7KV 36A TO247
  详细描述：IGBT 1700V 36A 280W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH10N170CV1
  仓库库存编号：IXYH10N170CV1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1.7KV 58A TO247-3
  详细描述：IGBT 1700V 58A 500W Through Hole TO-247-3
  
  型号：IXYH24N170C
  仓库库存编号：IXYH24N170C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 890W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH50N85X
  仓库库存编号：IXFH50N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1.7KV 58A TO247
  详细描述：IGBT 1700V 58A 500W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH24N170CV1
  仓库库存编号：IXYH24N170CV1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 130A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 450W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY130NF20D
  仓库库存编号：497-11004-5-ND
  别名：497-11004-5
  STY130NF20D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
  详细描述：IGBT 1700V 108A 937W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXYH30N170C
  仓库库存编号：IXYH30N170C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT47N60BC3G
  仓库库存编号：APT47N60BC3G-ND
  别名：APT47N60BC3GMI
  APT47N60BC3GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 890W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH80N65X2
  仓库库存编号：IXTH80N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX120N65X2
  仓库库存编号：IXTX120N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
  详细描述：IGBT 1700V 108A 937W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX30N170CV1
  仓库库存编号：IXYX30N170CV1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX21N100F
  仓库库存编号：IXFX21N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
• 
  
  无铅
• 搜索