产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(3476)
二极管 - 整流器 - 阵列
(588)
二极管 - 整流器 - 单
(216)
功率驱动器模块
(1)
晶闸管 - SCR
(34)
晶闸管 - TRIAC
(3)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(81)
晶体管 - FET，MOSFET - 射频
(19)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(1354)
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
(1178)
晶体管 - JFET
(2)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(41)
Cree/Wolfspeed(27)
Diodes Incorporated(1)
Fairchild/ON Semiconductor(203)
GeneSiC Semiconductor(15)
Global Power Technologies Group(15)
Infineon Technologies(610)
IXYS(903)
Littelfuse Inc.(8)
Microsemi Corporation(211)
NXP USA Inc.(5)
ON Semiconductor(143)
Power Integrations(2)
Renesas Electronics America(26)
Rohm Semiconductor(62)
SMC Diode Solutions(46)
STMicroelectronics(470)
Taiwan Semiconductor Corporation(184)
Toshiba Semiconductor and Storage(23)
Transphorm(3)
Vishay Semiconductor Diodes Division(298)
Vishay Siliconix(173)
WeEn Semiconductors(7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
IGBT 900V 63A 290W TO247
详细描述：IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT35GA90BD15
仓库库存编号：
APT35GA90BD15-ND
别名：APT35GA90BD15MI
APT35GA90BD15MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 54A 250W SOT227
详细描述：IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT30GS60BRDQ2G
仓库库存编号：
APT30GS60BRDQ2G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 520W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT37F50B
仓库库存编号：
APT37F50B-ND
别名：APT37F50BMI
APT37F50BMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 65A 290W TO-247
详细描述：IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT36GA60BD15
仓库库存编号：
APT36GA60BD15-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT18M80B
仓库库存编号：
APT18M80B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 78A 337W TO247
详细描述：IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT43GA90BD30
仓库库存编号：
APT43GA90BD30-ND
别名：APT43GA90BD30MI
APT43GA90BD30MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 53A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT53N60BC6
仓库库存编号：
APT53N60BC6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 454W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP4066DPBF
仓库库存编号：
IRGP4066DPBF-ND
别名：SP001545048
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 650V 208A 892W T-MAX
详细描述：IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2]
型号：
APT95GR65B2
仓库库存编号：
APT95GR65B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 139W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT1003RBLLG
仓库库存编号：
APT1003RBLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 140A 556W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 1200V 140A 556W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG7PH50UPBF
仓库库存编号：
IRG7PH50UPBF-ND
别名：SP001541698
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A 390W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG7PH46UDPBF
仓库库存编号：
IRG7PH46UDPBF-ND
别名：SP001542050
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT18M100B
仓库库存编号：
APT18M100B-ND
别名：APT18M100BMI
APT18M100BMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
型号：
APT40GR120B2D30
仓库库存编号：
APT40GR120B2D30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 446W（Tc） TO-247
型号：
STW40N90K5
仓库库存编号：
497-17090-ND
别名：497-17090
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
搜索
IXYS
IGBT 1200V 75A 460W TO247
详细描述：IGBT PT 1200V 75A 460W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH50N120C3
仓库库存编号：
IXGH50N120C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247
型号：
STW40N95DK5
仓库库存编号：
497-17223-ND
别名：497-17223
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247 长引线
型号：
STWA40N95DK5
仓库库存编号：
497-17224-ND
别名：497-17224
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 446W（Tc） TO-247 长引线
型号：
STWA40N90K5
仓库库存编号：
497-17091-ND
别名：497-17091
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 100A 543W TO247
详细描述：IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT40GP90BG
仓库库存编号：
APT40GP90BG-ND
别名：APT40GP90BGMI
APT40GP90BGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 96A 543W TO247
详细描述：IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT35GP120BG
仓库库存编号：
APT35GP120BG-ND
别名：APT35GP120BGMI
APT35GP120BGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 403W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT10078BLLG
仓库库存编号：
APT10078BLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 76A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 543W（Tc） TO-247-3
型号：
FCH76N60N
仓库库存编号：
FCH76N60N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1.05KVV 44A MAX247
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
型号：
STY50N105DK5
仓库库存编号：
497-17225-ND
别名：497-17225
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
SMC Diode Solutions
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247AD
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky Through Hole TO-247-3
型号：
MBR2060WT
仓库库存编号：
1655-1050-ND
别名：1655-1050
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
