产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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Rohm Semiconductor
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
型号：
RGTH00TS65GC11
仓库库存编号：
RGTH00TS65GC11-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 120W（Tc） TO-247
型号：
R6024ENZ1C9
仓库库存编号：
R6024ENZ1C9-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R125P6XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R125P6XKSA1-ND
别名：SP001114656
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-247-3
型号：
APT30DQ60BCTG
仓库库存编号：
APT30DQ60BCTG-ND
别名：APT30DQ60BCTGMI
APT30DQ60BCTGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 15A Through Hole TO-247-3
型号：
APT15D40BCTG
仓库库存编号：
APT15D40BCTG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 60A 250W TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 250W Through Hole TO-247 Long Leads
型号：
FGH30T65UPDT_F155
仓库库存编号：
FGH30T65UPDT_F155-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW33N60DM2
仓库库存编号：
497-16353-5-ND
别名：497-16353-5
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1000V 60A 412W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IGW30N100TFKSA1
仓库库存编号：
IGW30N100TFKSA1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 36A 250W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT15GT120BRG
仓库库存编号：
APT15GT120BRG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH28N60P3
仓库库存编号：
IXFH28N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 304W TO247AD
详细描述：IGBT NPT 600V 60A 304W Through Hole TO-247AD
型号：
IRGP30B60KD-EP
仓库库存编号：
IRGP30B60KD-EP-ND
别名：*IRGP30B60KD-EP
IRGP30B60KDEP
SP001549784
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 180W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG7PH35UDPBF
仓库库存编号：
IRG7PH35UDPBF-ND
别名：SP001537540
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC50PBF
仓库库存编号：
IRFPC50PBF-ND
别名：*IRFPC50PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 650V 92A 357W TO-247
详细描述：IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247
型号：
APT45GR65B
仓库库存编号：
APT45GR65B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 65A 290W TO-247
详细描述：IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT36GA60B
仓库库存编号：
APT36GA60B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 32A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 500W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH32N65X
仓库库存编号：
IXTH32N65X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT30N60BC6
仓库库存编号：
APT30N60BC6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 60A 270W TO247
详细描述：IGBT PT 650V 60A 270W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH30N65C3H1
仓库库存编号：
IXYH30N65C3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N60P
仓库库存编号：
IXFH26N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 110A 446W TO247
详细描述：IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT50GT60BRG
仓库库存编号：
APT50GT60BRG-ND
别名：APT50GT60BRGMI
APT50GT60BRGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-247-3
型号：
APT30D100BCTG
仓库库存编号：
APT30D100BCTG-ND
别名：APT30D100BCTGMI
APT30D100BCTGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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Microsemi Corporation
IGBT 650V 134A 595W TO-247
详细描述：IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247
型号：
APT70GR65B
仓库库存编号：
APT70GR65B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH20N65X
仓库库存编号：
IXTH20N65X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 43A 174W TO247
详细描述：IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT20GT60BRDQ1G
仓库库存编号：
APT20GT60BRDQ1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 78A 337W TO-247
详细描述：IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT43GA90B
仓库库存编号：
APT43GA90B-ND
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