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• Rohm Semiconductor
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 600V 10A (DC) Through Hole TO-247-3
  
  型号：SCS120AE2C
  仓库库存编号：SCS120AE2C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  IGBT 1700V 42A 357W TO247
  详细描述：IGBT 1700V 42A 357W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH42N170A
  仓库库存编号：IXBH42N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 26A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX26N90
  仓库库存编号：IXFX26N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX21N100Q
  仓库库存编号：IXFX21N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 9A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT1201R4BFLLG
  仓库库存编号：APT1201R4BFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR48N60Q3
  仓库库存编号：IXFR48N60Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 18A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N100Q3
  仓库库存编号：IXFR24N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  IGBT 1700V 60A 250W TO247
  详细描述：IGBT 1700V 60A 250W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH24N170
  仓库库存编号：IXBH24N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH25N120
  仓库库存编号：IXGH25N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Tc） 520W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX50N50
  仓库库存编号：IXFX50N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  IGBT 2500V 35A TO247HV
  详细描述：IGBT 2500V 35A 500W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH16N250CV1HV
  仓库库存编号：IXYH16N250CV1HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 44A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX44N55Q
  仓库库存编号：IXFX44N55Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 90A（Tc） 595W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR120P20T
  仓库库存编号：IXTR120P20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 195A（Tc） 595W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR210P10T
  仓库库存编号：IXTR210P10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N10
  仓库库存编号：IXTH60N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX200N10L2
  仓库库存编号：IXTX200N10L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX26N100P
  仓库库存编号：IXFX26N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 52A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX52N60Q2
  仓库库存编号：IXFX52N60Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  IGBT 600V 510A 2300W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 510A 2300W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXXX300N60C3
  仓库库存编号：IXXX300N60C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 26A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX26N120P
  仓库库存编号：IXFX26N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  IGBT 1200V 200A 830W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 200A 830W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX120N120B3
  仓库库存编号：IXGX120N120B3-ND
  
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  MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX60N55Q2
  仓库库存编号：IXFX60N55Q2-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 80A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX80N50Q3
  仓库库存编号：IXFX80N50Q3-ND
  
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  IGBT 1700V 24A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1700V 24A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH24N170AH1
  仓库库存编号：IXGH24N170AH1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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  IGBT 1700V 75A 350W PLUS247
  详细描述：IGBT NPT 1700V 75A 350W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX32N170H1
  仓库库存编号：IXGX32N170H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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