产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 650V 40A（DC） PG-TO247-3
型号：
IDW40G65C5XKSA1
仓库库存编号：
IDW40G65C5XKSA1-ND
别名：SP001632890
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 156A（Tc） 600W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR230N20T
仓库库存编号：
IXFR230N20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 2500V 29A TO247HV
详细描述：IGBT 2500V 29A 280W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH8N250CV1HV
仓库库存编号：
IXYH8N250CV1HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 25A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX25N90
仓库库存编号：
IXFX25N90-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT10090BFLLG
仓库库存编号：
APT10090BFLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：通孔 N 沟道 700V 65A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT70SM70B
仓库库存编号：
APT70SM70B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX20N120
仓库库存编号：
IXFX20N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
详细描述：IGBT 1200V 188A 1150W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXYX100N120C3
仓库库存编号：
IXYX100N120C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 2500V 35A TO247AD
详细描述：IGBT 2500V 35A 500W Through Hole TO-247AD
型号：
IXYH16N250C
仓库库存编号：
IXYH16N250C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX27N80Q
仓库库存编号：
IXFX27N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 170A 695W PLUS247
详细描述：IGBT PT 600V 170A 695W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXXX100N60C3H1
仓库库存编号：
IXXX100N60C3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX20N120P
仓库库存编号：
IXFX20N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 40A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX40N90P
仓库库存编号：
IXFX40N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 30A 300W TO247AD
详细描述：IGBT 1700V 30A 300W Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号：
IXBH28N170A
仓库库存编号：
IXBH28N170A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 24A（Tc） 568W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX24N100
仓库库存编号：
IXTX24N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247
详细描述：IGBT 1200V 104A 484W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXYR100N120C3
仓库库存编号：
IXYR100N120C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 2500V 28A TO247HV
详细描述：IGBT 2500V 28A 310W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH12N250CV1HV
仓库库存编号：
IXYH12N250CV1HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 178A PLUS247
详细描述：IGBT 1700V 178A 1500W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXYX50N170C
仓库库存编号：
IXYX50N170C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 260A 1250W PLUS247
详细描述：IGBT PT 1200V 260A 1250W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX82N120A3
仓库库存编号：
IXGX82N120A3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247
详细描述：IGBT PT 1200V 230A 1250W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX82N120B3
仓库库存编号：
IXGX82N120B3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 24A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX24N100
仓库库存编号：
IXFX24N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 20A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX20N150
仓库库存编号：
IXTX20N150-ND
别名：Q6873231
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 24A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX24N90Q
仓库库存编号：
IXFX24N90Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 200V 120A（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX120P20T
仓库库存编号：
IXTX120P20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 100V 210A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX210P10T
仓库库存编号：
IXTX210P10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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