产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N120
仓库库存编号：
IXFH12N120-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 36A（Tc） 560W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH36N55Q2
仓库库存编号：
IXFH36N55Q2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX26N60Q
仓库库存编号：
IXFX26N60Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 2500V 13A 150W TO247
详细描述：IGBT 2500V 13A 150W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH4N250C
仓库库存编号：
IXGH4N250C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 625W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 94A 625W Through Hole
型号：
APT50GT120B2RDQ2G
仓库库存编号：
APT50GT120B2RDQ2G-ND
别名：APT50GT120B2RDQ2GMI
APT50GT120B2RDQ2GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 75A 521W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
型号：
APT25GR120BSCD10
仓库库存编号：
APT25GR120BSCD10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX73N30Q
仓库库存编号：
IXFX73N30Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 40V 600A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX600N04T2
仓库库存编号：
IXTX600N04T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 180A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX180N10
仓库库存编号：
IXFX180N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 70V 180A（Tc） 568W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX180N07
仓库库存编号：
IXFX180N07-ND
别名：Q1150608
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX100N25
仓库库存编号：
IXFX100N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX150N15
仓库库存编号：
IXFX150N15-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX180N085
仓库库存编号：
IXFX180N085-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 55V 550A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX550N055T2
仓库库存编号：
IXTX550N055T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 320A 1000W PLUS247
详细描述：IGBT PT 600V 320A 1000W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX320N60A3
仓库库存编号：
IXGX320N60A3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 400A 1000W PLUS247
详细描述：IGBT PT 300V 400A 1000W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX400N30A3
仓库库存编号：
IXGX400N30A3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 170A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX170N20P
仓库库存编号：
IXFX170N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 660W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 75A 660W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH90N60B3
仓库库存编号：
IXGH90N60B3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 250A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX250N10P
仓库库存编号：
IXFX250N10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N25
仓库库存编号：
IXFX120N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 500A 1700W PLUS247
详细描述：IGBT PT 600V 500A 1700W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX320N60B3
仓库库存编号：
IXGX320N60B3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
SIC SCHOTTKY RECTIFIER
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 65A (DC) Through Hole TO-247-3
型号：
GP2D040A120U
仓库库存编号：
GP2D040A120U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 16A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N90Q
仓库库存编号：
IXFH16N90Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH15N100Q
仓库库存编号：
IXFH15N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH15N100
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