产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
IPB80N06S2L-H5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S3-05
仓库库存编号:
IPB80N06S3-05-ND
别名:SP000102222
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 195A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1324STRLPBF
仓库库存编号:
IRF1324STRLPBFCT-ND
别名:IRF1324STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB120N04S3-02
仓库库存编号:
IPB120N04S3-02CT-ND
别名:IPB120N04S3-02CT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N04S3-07
仓库库存编号:
IPB70N04S3-07CT-ND
别名:IPB70N04S3-07CT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET RF SOT404 D2PAK
详细描述:RF Mosfet D2PAK
型号:
ON5234,118
仓库库存编号:
ON5234,118-ND
别名:934056766118
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET RF SOT404 D2PAK
详细描述:RF Mosfet D2PAK
型号:
ON5173,118
仓库库存编号:
ON5173,118-ND
别名:934057198118
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 166W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7628-100A/C,118
仓库库存编号:
BUK7628-100A/C,118-ND
别名:934060683118
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 19.3A(DC) PG-TO263-3
型号:
IDB09E60ATMA1
仓库库存编号:
IDB09E60ATMA1TR-ND
别名:IDB09E60
IDB09E60-ND
SP000013914
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A(DC) PG-TO263-3
型号:
IDB15E60
仓库库存编号:
IDB15E60-ND
别名:SP000278565
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 31A(DC) PG-TO263-3
型号:
IDB18E120ATMA1
仓库库存编号:
IDB18E120ATMA1TR-ND
别名:IDB18E120
IDB18E120-ND
SP000013919
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 71A(DC) PG-TO263-3
型号:
IDB45E60ATMA1
仓库库存编号:
IDB45E60ATMA1TR-ND
别名:IDB45E60
IDB45E60-ND
SP000013635
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S402ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-02
IPB120N06S4-02-ND
SP000415560
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S403ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03-ND
SP000415558
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S409ATMA1
仓库库存编号:
IPB45N06S409ATMA1TR-ND
别名:IPB45N06S4-09
IPB45N06S4-09-ND
SP000374315
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPB45N06S4L08ATMA1TR-ND
别名:IPB45N06S4L-08
IPB45N06S4L-08-ND
SP000374316
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S405ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S405ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4-05
IPB80N06S4-05-ND
SP000415566
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S407ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S407ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4-07
IPB80N06S4-07-ND
SP000415568
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S4L05ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4L-05
IPB80N06S4L-05-ND
SP000415570
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S4L07ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4L-07
IPB80N06S4L-07-ND
SP000415572
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB90N06S404ATMA1TR-ND
别名:IPB90N06S4-04
IPB90N06S4-04-ND
SP000379632
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPB90N06S4L04ATMA1TR-ND
别名:IPB90N06S4L-04
IPB90N06S4L-04-ND
SP000415574
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6A 30W TO263-3
详细描述:IGBT NPT 600V 6A 30W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
SGB02N60ATMA1
仓库库存编号:
SGB02N60ATMA1TR-ND
别名:SGB02N60
SGB02N60-ND
SP000011978
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 68W TO263-3
详细描述:IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
SGB06N60ATMA1
仓库库存编号:
SGB06N60ATMA1TR-ND
别名:SGB06N60
SGB06N60-ND
SP000011980
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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