产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80P06P
仓库库存编号：
SPB80P06P-ND
别名：SP000012841
SPB80P06PT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB03N03LA G
仓库库存编号：
IPB03N03LAGINCT-ND
别名：IPB03N03LAG
IPB03N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB048N06LGATMA1
仓库库存编号：
IPB048N06LGATMA1CT-ND
别名：IPB048N06LG
IPB048N06LGINCT
IPB048N06LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB04N03LA G
仓库库存编号：
IPB04N03LAGINCT-ND
别名：IPB04N03LAG
IPB04N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB050N06NGATMA1
仓库库存编号：
IPB050N06NGATMA1CT-ND
别名：IPB050N06NG
IPB050N06NGINCT
IPB050N06NGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB05N03LB G
仓库库存编号：
IPB05N03LBGINCT-ND
别名：IPB05N03LBG
IPB05N03LBGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB070N06L G
仓库库存编号：
IPB070N06LGINCT-ND
别名：IPB070N06LG
IPB070N06LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB085N06L G
仓库库存编号：
IPB085N06LGINCT-ND
别名：IPB085N06LG
IPB085N06LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S3-04
仓库库存编号：
IPB100N06S3-04INCT-ND
别名：IPB100N06S3-04INCT
IPB100N06S304
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S3L-04
仓库库存编号：
IPB100N06S3L-04INCT-ND
别名：IPB100N06S3L-04INCT
IPB100N06S3L04
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 78A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB110N06L G
仓库库存编号：
IPB110N06LGINCT-ND
别名：IPB110N06LG
IPB110N06LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB120N06N G
仓库库存编号：
IPB120N06NGINCT-ND
别名：IPB120N06NG
IPB120N06NGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO263-3
型号：
IPB13N03LB G
仓库库存编号：
IPB13N03LBGINCT-ND
别名：IPB13N03LBG
IPB13N03LBGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 45A（Tc） 65W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N06S3-16
仓库库存编号：
IPB45N06S3-16INCT-ND
别名：IPB45N06S3-16INCT
IPB45N06S316
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 45A（Tc） 65W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N06S3L-13
仓库库存编号：
IPB45N06S3L-13INCT-ND
别名：IPB45N06S3L-13INCT
IPB45N06S3L13
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3L-05
仓库库存编号：
IPB80N06S3L-05INCT-ND
别名：IPB80N06S3L-05INCT
IPB80N06S3L05
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3L-06
仓库库存编号：
IPB80N06S3L-06INCT-ND
别名：IPB80N06S3L-06INCT
IPB80N06S3L06
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPBH6N03LA G
仓库库存编号：
IPBH6N03LAGINCT-ND
别名：IPBH6N03LAG
IPBH6N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB03N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB03N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB03N60S5INCT
SPB03N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB04N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB04N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB04N60S5INCT
SPB04N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB07N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB07N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB07N60S5INCT
SPB07N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10L G
仓库库存编号：
SPB10N10LGINCT-ND
别名：SPB10N10LG
SPB10N10LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB11N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB11N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB11N60S5INCT
SPB11N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB20N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB20N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB20N60S5INCT
SPB20N60S5INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N10L G
仓库库存编号：
SPB80N10LGINCT-ND
别名：SPB80N10LG
SPB80N10LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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