产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) D3Pak
型号:
APT20M38SVRG/TR
仓库库存编号:
APT20M38SVRG/TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY SCHOTTKY 250V TO263
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 250V 12A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
型号:
DGSK20-025AS-TUBE
仓库库存编号:
DGSK20-025AS-TUBE-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 77A(Tc) 481W(Tc) D3Pak
型号:
APT77N60SC6
仓库库存编号:
APT77N60SC6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) D3Pak
型号:
APT60N60SCSG/TR
仓库库存编号:
APT60N60SCSG/TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 220W TO263
详细描述:IGBT PT 600V 60A 220W Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA30N60C3C1
仓库库存编号:
IXGA30N60C3C1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) D3Pak
型号:
APT60N60SCSG
仓库库存编号:
APT60N60SCSG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 65A(Tc) 220W(Tc) D3Pak
型号:
APT70SM70S
仓库库存编号:
APT70SM70S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 80A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT80SM120S
仓库库存编号:
APT80SM120S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
详细描述:IGBT 3000V 34A 180W Surface Mount TO-263
型号:
IXBH10N300HV
仓库库存编号:
IXBH10N300HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB22N03S4L15ATMA1
仓库库存编号:
IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
别名:IPB22N03S4L-15
IPB22N03S4L-15-ND
IPB22N03S4L-15INTR
IPB22N03S4L-15INTR-ND
SP000275308
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-2
型号:
SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号:
SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名:SP000102179
SPB08P06P G
SPB08P06P G-ND
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGINTR-ND
SPB08P06PGXT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB055N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPB055N03LGATMA1TR-ND
别名:IPB055N03L G
IPB055N03LGINTR
IPB055N03LGINTR-ND
IPB055N03LGXT
SP000304110
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号:
IPB35N10S3L26ATMA1-ND
别名:SP000776044
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L07ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S4L07ATMA2-ND
别名:SP001028674
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 45A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45P03P4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPB45P03P4L11ATMA1-ND
别名:SP000396276
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3103STRLPBF-ND
别名:SP001552534
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P4L08ATMA1-ND
别名:SP000840208
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S4L04ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S4L-04
IPB80N04S4L-04-ND
SP000646180
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 72A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70P04P409ATMA1
仓库库存编号:
IPB70P04P409ATMA1-ND
别名:SP000735964
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRL520NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL520NSTRLPBF-ND
别名:SP001567056
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P407ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P407ATMA1-ND
别名:SP000842038
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P4L06ATMA1-ND
别名:SP000842046
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A D2PAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A(DC) PG-TO263-3
型号:
IDB15E60ATMA1
仓库库存编号:
IDB15E60ATMA1-ND
别名:SP000014044
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名:IPB80P03P4L-07
IPB80P03P4L-07-ND
SP000396288
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S407ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S407ATMA2-ND
别名:SP001028672
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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