以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET RF SOT428DPAK
  详细描述：RF Mosfet DPAK
  
  型号：ON5252,118
  仓库库存编号：ON5252,118-ND
  别名：934057684118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 114W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9240-100A/C1,11
  仓库库存编号：BUK9240-100A/C1,11-ND
  别名：934061623118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 32A（Tc） 77W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9237-55A/C1,118
  仓库库存编号：BUK9237-55A/C1,118-ND
  别名：934061634118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 48A（Tc） 103W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9222-55A/C1,118
  仓库库存编号：BUK9222-55A/C1,118-ND
  别名：934061635118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7210-55B/C1,118
  仓库库存编号：BUK7210-55B/C1,118-ND
  别名：934062108118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 700V 4A DPAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 4A Surface Mount DPAK
  
  型号：PHD13005AD,127
  仓库库存编号：PHD13005AD,127-ND
  别名：934064309127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 7.3A TO252-3
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 7.3A（DC） PG-TO252-3
  
  型号：IDD03E60BUMA1
  仓库库存编号：IDD03E60BUMA1TR-ND
  别名：IDD03E60
  IDD03E60-ND
  SP000013632
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 88W TO252-3
  详细描述：IGBT Trench 600V 12A 88W Surface Mount PG-TO252-3
  
  型号：IHD06N60RA
  仓库库存编号：IHD06N60RA-ND
  别名：IHD06N60RABUMA1
  SP000443672
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 20A 110W TO252-3
  详细描述：IGBT Trench 600V 20A 110W Surface Mount PG-TO252-3
  
  型号：IHD10N60RA
  仓库库存编号：IHD10N60RA-ND
  别名：IHD10N60RABUMA1
  SP000443668
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 30A 250W TO252-3
  详细描述：IGBT Trench 600V 30A 250W Surface Mount PG-TO252-3
  
  型号：IKD15N60R
  仓库库存编号：IKD15N60R-ND
  别名：IKD15N60RBTMA1
  SP000539764
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N06S4L23ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N06S4L23ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N06S4L-23
  IPD30N06S4L-23-ND
  SP000374320
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S409ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S409ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S4-09
  IPD50N06S4-09-ND
  SP000374321
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S4L08ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S4L-08
  IPD50N06S4L-08-ND
  SP000374322
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S404ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S404ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4-04
  IPD90N06S4-04-ND
  SP000374323
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S405ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4-05
  IPD90N06S4-05-ND
  SP000481510
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S407ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S407ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4-07
  IPD90N06S4-07-ND
  SP000415586
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S4L03ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S4L03ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4L-03
  IPD90N06S4L-03-ND
  SP000374326
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S4L05ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S4L05ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4L-05
  IPD90N06S4L-05-ND
  SP000415588
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S4L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S4L06ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4L-06
  IPD90N06S4L-06-ND
  SP000415594
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3
  详细描述：IGBT NPT 600V 9.4A 50W Surface Mount PG-TO252-3
  
  型号：SGD04N60BUMA1
  仓库库存编号：SGD04N60BUMA1TR-ND
  别名：SGD04N60
  SGD04N60-ND
  SP000011994
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 68W TO252-3
  详细描述：IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO252-3
  
  型号：SGD06N60BUMA1
  仓库库存编号：SGD06N60BUMA1TR-ND
  别名：SGD06N60
  SGD06N60-ND
  SP000011995
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L07GBTMA1
  仓库库存编号：SPD30N03S2L07GBTMA1TR-ND
  别名：SP000443922
  SPD30N03S2L-07 G
  SPD30N03S2L-07 G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-3
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 3A（DC） PG-TO252-3
  
  型号：IDD03SG60CXTMA1
  仓库库存编号：IDD03SG60CXTMA1CT-ND
  别名：IDD03SG60CCT
  IDD03SG60CCT-ND
  IDD03SG60CXTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD110N12N3GBUMA1
  仓库库存编号：IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
  别名：IPD110N12N3 GCT
  IPD110N12N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD600N25N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD600N25N3 GCT
  IPD600N25N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
• 
  
  无铅
• 搜索