产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S223ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N06S223ATMA1TR-ND
别名:IPD30N06S2-23
IPD30N06S2-23-ND
SP000252166
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD33CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD33CN10NGBUMA1TR-ND
别名:IPD33CN10N G
IPD33CN10N G-ND
SP000096458
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD49CN10N G
仓库库存编号:
IPD49CN10N G-ND
别名:SP000096459
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N06S214ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N06S214ATMA1TR-ND
别名:IPD50N06S2-14
IPD50N06S2-14-ND
SP000252171
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N06S2L13ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N06S2L13ATMA1TR-ND
别名:IPD50N06S2L-13
IPD50N06S2L-13-ND
SP000252172
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R399CP
仓库库存编号:
IPD50R399CP-ND
别名:SP000234984
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R520CP
仓库库存编号:
IPD50R520CP-ND
别名:SP000236063
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 44W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD64CN10N G
仓库库存编号:
IPD64CN10N G-ND
别名:SP000104810
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80N06S3-09
仓库库存编号:
IPD80N06S3-09-ND
别名:SP000264473
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L10GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10GBTMA1TR-ND
别名:SP000443918
SPD30N03S2L-10 G
SPD30N03S2L-10 G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505GTRPBF
仓库库存编号:
IRFR5505GTRPBFCT-ND
别名:IRFR5505GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 45A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK7226-75A/C1,118
仓库库存编号:
BUK7226-75A/C1,118-ND
别名:934061629118
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
BUK9213-30A,118
仓库库存编号:
BUK9213-30A,118-ND
别名:934057315118
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 55A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
BUK7213-40A,118
仓库库存编号:
BUK7213-40A,118-ND
别名:934058199118
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD200N15N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD200N15N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD200N15N3 GCT
IPD200N15N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 82A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N04S3-07
仓库库存编号:
IPD70N04S3-07CT-ND
别名:IPD70N04S3-07CT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03M G
仓库库存编号:
IPD031N03M GINCT-ND
别名:IPD031N03M GINCT
IPD031N03MG
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD04N60R
仓库库存编号:
IKD04N60RINCT-ND
别名:IKD04N60RINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD06N60R
仓库库存编号:
IKD06N60RINCT-ND
别名:IKD06N60RINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD10N60R
仓库库存编号:
IKD10N60RINCT-ND
别名:IKD10N60RINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380C6
仓库库存编号:
IPD60R380C6INCT-ND
别名:IPD60R380C6INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R600C6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R600C6BTMA1CT
IPD60R600C6INCT
IPD60R600C6INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6
仓库库存编号:
IPD60R950C6INCT-ND
别名:IPD60R950C6INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 79W(Tc) DPAK
型号:
PHD18NQ10T,118
仓库库存编号:
PHD18NQ10T,118-ND
别名:934055700118
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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NXP USA Inc.
MOSFET RF SOT428DPAK
详细描述:RF Mosfet DPAK
型号:
ON5233,118
仓库库存编号:
ON5233,118-ND
别名:934056765118
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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