产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 75A(Tc) 107W(Tc) DPAK
型号:
PHD77NQ03T,118
仓库库存编号:
PHD77NQ03T,118-ND
别名:934060505118
PHD77NQ03T /T3
PHD77NQ03T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5.6A PG-TO252-3
型号:
IDD04SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD04SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD04SG60C
IDD04SG60C-ND
SP000786804
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD05SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD05SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD05SG60C
IDD05SG60C-ND
SP000411544
SP000786806
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD06SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD06SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD06SG60C
IDD06SG60C-ND
SP000786808
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 8A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD08SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD08SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD08SG60C
IDD08SG60C-ND
SP000411548
SP000786810
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 9A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD09SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD09SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD09SG60C
IDD09SG60C-ND
SP000411550
SP000786812
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 10A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD10SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD10SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD10SG60C
IDD10SG60C-ND
SP000608030
SP000786814
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD068N10N3 G
IPD068N10N3 G-ND
SP000469892
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD082N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-ND
SP000485986
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD088N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD088N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD088N04L G
IPD088N04L G-ND
SP000354798
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD105N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD105N04L G
IPD105N04L G-ND
SP000354796
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
别名:IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-ND
SP000096476
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CNE8N G
仓库库存编号:
IPD12CNE8N G-ND
别名:SP000096477
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD135N08N3 G
IPD135N08N3 G-ND
SP000454266
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD14N06S280ATMA1
仓库库存编号:
IPD14N06S280ATMA1TR-ND
别名:IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80-ND
SP000252161
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD15N06S2L64ATMA1
仓库库存编号:
IPD15N06S2L64ATMA1TR-ND
别名:IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64-ND
SP000252162
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD160N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD160N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD160N04L G
IPD160N04L G-ND
SP000387933
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD16CN10N G
仓库库存编号:
IPD16CN10N G-ND
别名:SP000096454
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD16CNE8N G
仓库库存编号:
IPD16CNE8N G-ND
别名:SP000096455
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD170N04NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD170N04NGBTMA1TR-ND
别名:IPD170N04N G
IPD170N04N G-ND
SP000388297
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25CNE8N G
仓库库存编号:
IPD25CNE8N G-ND
别名:SP000096457
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25N06S240ATMA1
仓库库存编号:
IPD25N06S240ATMA1TR-ND
别名:IPD25N06S2-40
IPD25N06S2-40-ND
SP000252164
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD26N06S2L35ATMA1
仓库库存编号:
IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND
别名:IPD26N06S2L-35
IPD26N06S2L-35-ND
SP000252165
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L07ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L07ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L-07-ND
SP000254463
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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