产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327
仓库库存编号:
BSP295INCT-ND
别名:BSP295INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296E6327
仓库库存编号:
BSP296INCT-ND
别名:BSP296INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315P-E6327
仓库库存编号:
BSP315PINCT-ND
别名:BSP315PE6327
BSP315PINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.7W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP88E6327
仓库库存编号:
BSP88INCT-ND
别名:BSP88INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 2.6A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4315
仓库库存编号:
IRFL4315-ND
别名:*IRFL4315
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PE6327
仓库库存编号:
BSP170PE6327INCT-ND
别名:BSP170PE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PE6327
仓库库存编号:
BSP171PE6327INCT-ND
别名:BSP171PE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 680mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP316PE6327
仓库库存编号:
BSP316PE6327INCT-ND
别名:BSP316PE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 430mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP317PE6327
仓库库存编号:
BSP317PE6327INCT-ND
别名:BSP317PE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024Z
仓库库存编号:
IRFL024Z-ND
别名:*IRFL024Z
SP001551986
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Tc) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL024Z
仓库库存编号:
IRLL024Z-ND
别名:*IRLL024Z
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN RF 15V 150MA SOT223
详细描述:RF Transistor NPN 15V 150mA 6GHz 1W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BFG135AE6327XT
仓库库存编号:
BFG135AE6327XTTR-ND
别名:BFG 135A E6327
BFG135AE6327
BFG135AE6327-ND
BFG135AE6327T
BFG135AE6327T-ND
Q2351394
SP000010991
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006PBF
仓库库存编号:
IRFL1006PBF-ND
别名:*IRFL1006PBF
SP001571088
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 370mA(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP123E6327T
仓库库存编号:
BSP123XTINCT-ND
别名:BSP123XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP129E6327T
仓库库存编号:
BSP129XTINCT-ND
别名:BSP129XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PE6327T
仓库库存编号:
BSP170PE6327XTINCT-ND
别名:BSP170PE6327XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PE6327T
仓库库存编号:
BSP171PE6327XTINCT-ND
别名:BSP171PE6327XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327T
仓库库存编号:
BSP295XTINCT-ND
别名:BSP295XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315PE6327T
仓库库存编号:
BSP315PXTINCT-ND
别名:BSP315PXTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 680mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP316PE6327T
仓库库存编号:
BSP316PE6327XTINCT-ND
别名:BSP316PE6327XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 430mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP317PE6327T
仓库库存编号:
BSP317PE6327XTINCT-ND
别名:BSP317PE6327XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.7W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP88L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP88L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP88L6327
BSP88L6327INCT
BSP88L6327INCT-ND
BSP88XTINCT
BSP88XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 8V 250MA SOT223
详细描述:RF Transistor NPN 8V 250mA 900MHz 2.1W Surface Mount SOT-223
型号:
BLT70,115
仓库库存编号:
BLT70,115-ND
别名:934032210115
BLT70 T/R
BLT70 T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.5A(Tc) 6.25W(Tc) SOT-223
型号:
PHT2NQ10T,135
仓库库存编号:
PHT2NQ10T,135-ND
别名:934056839135
PHT2NQ10T /T3
PHT2NQ10T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 4.9A(Ta) 1.8W(Ta),8.3W(Tc) SOT-223
型号:
PHT11N06LT,135
仓库库存编号:
PHT11N06LT,135-ND
别名:934054590135
PHT11N06LT /T3
PHT11N06LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA,
无铅
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