产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJK6018DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJK6018DPK-00#T0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJK6020DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJK6020DPK-00#T0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
型号：
RJL5014DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJL5014DPK-00#T0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 38A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 38A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJL5020DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJL5020DPK-00#T0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 27A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJL6018DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJL6018DPK-00#T0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJL6020DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJL6020DPK-00#T0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A
详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Ta） 2.5W（Ta），170W（Tc） TO-3P-3L
型号：
2SK4124-1E
仓库库存编号：
2SK4124-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A
详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Ta） 2.5W（Ta），170W（Tc） TO-3P-3L
型号：
2SK4125-1E
仓库库存编号：
2SK4125-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L
详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
型号：
WPB4001-1E
仓库库存编号：
WPB4001-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
型号：
WPB4002-1E
仓库库存编号：
WPB4002-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M010A080N
仓库库存编号：
GP1M010A080N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3P
型号：
GP1M020A060M
仓库库存编号：
GP1M020A060M-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M020A060N
仓库库存编号：
GP1M020A060N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP2M009A090NG
仓库库存编号：
GP2M009A090NG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP2M020A050N
仓库库存编号：
GP2M020A050N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
型号：
GP2M023A050N
仓库库存编号：
GP2M023A050N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 900V 9.5A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M009A090N
仓库库存编号：
1560-1174-5-ND
别名：1560-1174-1
1560-1174-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M016A060N
仓库库存编号：
1560-1188-5-ND
别名：1560-1188-1
1560-1188-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M023A050N
仓库库存编号：
1560-1192-5-ND
别名：1560-1192-1
1560-1192-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 416W（Tc） TO-3PN
型号：
GP2M011A090NG
仓库库存编号：
1560-1209-5-ND
别名：1560-1209-1
1560-1209-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Tc） 416W（Tc） TO-3PN
型号：
GP2M012A080NG
仓库库存编号：
1560-1211-5-ND
别名：1560-1211-1
1560-1211-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
型号：
GP2M020A060N
仓库库存编号：
1560-1214-5-ND
别名：1560-1214-1
1560-1214-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Ta） 120W（Tc） TO-3P
型号：
2SK1518-E
仓库库存编号：
2SK1518-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
型号：
RJK6014DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJK6014DPK-00#T0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A 417W TO-3PN
型号：
FCA47N60F_SN00171
仓库库存编号：
FCA47N60F_SN00171-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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