产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 30V 0.8A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 800mA 800mW Through Hole TO-39
型号：
JANTX2N2219
仓库库存编号：
1086-2672-ND
别名：1086-2672
1086-2672-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 250V 1A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 1A 800mW Through Hole TO-39
型号：
JANTXV2N3440
仓库库存编号：
1086-3074-ND
别名：1086-3074
1086-3074-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 40V 1.5A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1.5A 1W Through Hole TO-39
型号：
JANTXV2N3735
仓库库存编号：
1086-3082-ND
别名：1086-3082
1086-3082-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS PNP 80V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 800mW Through Hole TO-39
型号：
JANTXV2N4033
仓库库存编号：
1086-3093-ND
别名：1086-3093
1086-3093-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 30V 0.8A TO-39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 800mA 800mW Through Hole TO-39
型号：
2N2219
仓库库存编号：
2N2219-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 50V 0.8A TO-39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39
型号：
2N2219AL
仓库库存编号：
2N2219AL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660-2
仓库库存编号：
2N6660-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660-E3
仓库库存编号：
2N6660-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTVP02
仓库库存编号：
2N6660JTVP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTX02
仓库库存编号：
2N6660JTX02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTXL02
仓库库存编号：
2N6660JTXL02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTXP02
仓库库存编号：
2N6660JTXP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTXV02
仓库库存编号：
2N6660JTXV02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661
仓库库存编号：
2N6661-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661-2
仓库库存编号：
2N6661-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661-E3
仓库库存编号：
2N6661-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JAN02
仓库库存编号：
2N6661JAN02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTVP02
仓库库存编号：
2N6661JTVP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTX02
仓库库存编号：
2N6661JTX02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
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MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXL02
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2N6661JTXL02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXP02
仓库库存编号：
2N6661JTXP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXV02
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含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述：通孔 P 沟道 80V 880mA（Ta） 6.25W（Ta） TO-39
型号：
VP0808B
仓库库存编号：
VP0808B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐,
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MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述：通孔 P 沟道 80V 880mA（Ta） 6.25W（Ta） TO-39
型号：
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