产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC500N20NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC500N20NS3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC123N10LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC123N10LSGATMA1CT-ND
别名：BSC123N10LS GCT
BSC123N10LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
型号：
FDMC86102
仓库库存编号：
FDMC86102CT-ND
别名：FDMC86102CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86102LZ
仓库库存编号：
FDMS86102LZCT-ND
别名：FDMS86102LZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C628NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C628NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3624S
仓库库存编号：
FDMS3624SCT-ND
别名：FDMS3624SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC010NE2LSI
仓库库存编号：
BSC010NE2LSICT-ND
别名：BSC010NE2LSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC031N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3 GCT-ND
BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N04LS G
仓库库存编号：
BSC016N04LS GCT-ND
别名：BSC016N04LS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC028N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC028N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC028N06NS
BSC028N06NS-ND
BSC028N06NSATMA1CT
BSC028N06NSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP2002UPS-13
仓库库存编号：
DMP2002UPS-13DICT-ND
别名：DMP2002UPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16325Q5C
仓库库存编号：
296-25645-1-ND
别名：296-25645-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC060N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC060N10NS3 GCT
BSC060N10NS3 GCT-ND
BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC040N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD17312Q5
仓库库存编号：
296-27613-1-ND
别名：296-27613-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC047N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC047N08NS3 GCT
BSC047N08NS3 GCT-ND
BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
型号：
BSC010N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC010N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC010N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC028N06LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
别名：BSC028N06LS3 GCT
BSC028N06LS3 GCT-ND
BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），98A（Tc） 139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC077N12NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC077N12NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3 GCT-ND
BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC082N10LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC082N10LSGATMA1CT-ND
别名：BSC082N10LS GCT
BSC082N10LS GCT-ND
BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC190N15NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3 GCT-ND
BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），40A（Tc） 3W（Ta），60W（Tc） Dual Cool ? 33
型号：
FDMC2514SDC
仓库库存编号：
FDMC2514SDCCT-ND
别名：FDMC2514SDCCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC320N20NS3 G
仓库库存编号：
BSC320N20NS3 GCT-ND
别名：BSC320N20NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
型号：
BSC010N04LSIATMA1
仓库库存编号：
BSC010N04LSIATMA1CT-ND
别名：BSC010N04LSIATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC600N25NS3 G
仓库库存编号：
BSC600N25NS3 GCT-ND
别名：BSC600N25NS3 GCT
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