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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），156A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） SO-8FL
  
  型号：NTMFS4833NST1G
  仓库库存编号：NTMFS4833NST1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），156A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） SO-8FL
  
  型号：NTMFS4833NST3G
  仓库库存编号：NTMFS4833NST3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15.2A（Ta），149A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） SO-8FL
  
  型号：NTMFS4854NST1G
  仓库库存编号：NTMFS4854NST1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15.2A（Ta），149A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） SO-8FL
  
  型号：NTMFS4854NST3G
  仓库库存编号：NTMFS4854NST3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 16A, 18A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3616S
  仓库库存编号：FDMS3616SCT-ND
  别名：FDMS3616SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Trinamic Motion Control GmbH
  MOSFET N/P-CH 30V 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 7.3A, 5.3A 2.5W Surface Mount 8-PQFN (3x3)
  
  型号：TMC1320-LA
  仓库库存编号：1460-1138-1-ND
  别名：1460-1138-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Trinamic Motion Control GmbH
  MOSFET N/P-CH 40V 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 8.8A, 7.3A 3.57W Surface Mount PQFN (5x6)
  
  型号：TMC1420-LA
  仓库库存编号：1460-1139-1-ND
  别名：1460-1139-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.9A（Ta），78A（Tc） 770mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C05NT1G-001
  仓库库存编号：NTMFS4C05NT1G-001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta），69A（Tc） 770mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C06NT1G-001
  仓库库存编号：NTMFS4C06NT1G-001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），52A（Tc） 760mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C09NT1G-001
  仓库库存编号：NTMFS4C09NT1G-001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.2A（Ta），46A（Tc） 750mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C10NT1G-001
  仓库库存编号：NTMFS4C10NT1G-001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），52A（Tc） 760mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C08NT1G-001
  仓库库存编号：NTMFS4C08NT1G-001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM052N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM052N06PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM052N06PQ56 RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM052N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM052N06PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM052N06PQ56 RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM052N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM052N06PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM052N06PQ56 RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120N10PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM120N10PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM120N10PQ56 RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120N10PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM120N10PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM120N10PQ56 RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120N10PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM120N10PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM120N10PQ56 RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC022N03SG
  仓库库存编号：BSC022N03SGINCT-ND
  别名：BSC022N03SGINCT
  BSC022N03SGXTINCT
  BSC022N03SGXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N03SG
  仓库库存编号：BSC032N03SGINCT-ND
  别名：BSC032N03SGINCT
  BSC032N03SGXTINCT
  BSC032N03SGXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），50A（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03ST
  仓库库存编号：BSC042N03ST-ND
  别名：SP000014715
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC022N03S
  仓库库存编号：BSC022N03S-ND
  别名：BSC022N03ST
  SP000014713
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 27A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC024N025S G
  仓库库存编号：BSC024N025S G-ND
  别名：BSC024N025SGXT
  SP000095464
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC027N03S G
  仓库库存编号：BSC027N03S G-ND
  别名：BSC027N03SGXT
  SP000095462
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N03S
  仓库库存编号：BSC032N03S-ND
  别名：BSC032N03ST
  SP000014714
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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