产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 34W（Tc） PG-TSDSON-8-32
型号：
IPZ40N04S58R4ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S58R4ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S58R4ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 42W（Tc） PG-TDSON-8-33
型号：
IPC50N04S5L5R5ATMA1
仓库库存编号：
IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND
别名：IPC50N04S5L5R5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ088N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ088N03MSGINCT
BSZ088N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ058N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ058N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ058N03MSGINCT
BSZ058N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），71A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC057N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC057N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC057N03LSGINCT
BSC057N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC042N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC042N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03MSGINCT
BSC042N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），36W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ100N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ100N06NSATMA1CT-ND
别名：BSZ100N06NSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ050N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ050N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ050N03MSGINCT
BSZ050N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），18A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0904NSI
仓库库存编号：
BSZ0904NSICT-ND
别名：BSZ0904NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），27W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0506NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ0506NSATMA1CT-ND
别名：BSZ0506NSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ036NE2LS
仓库库存编号：
BSZ036NE2LSCT-ND
别名：BSZ036NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 48W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
IPZ40N04S55R4ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S55R4ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0902NSI
仓库库存编号：
BSZ0902NSICT-ND
别名：BSZ0902NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ15DC02KDHXTMA1
仓库库存编号：
BSZ15DC02KDHXTMA1CT-ND
别名：BSZ15DC02KDHXTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 38W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ900N15NS3 G
仓库库存编号：
BSZ900N15NS3 GCT-ND
别名：BSZ900N15NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7191TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7191TRPBFCT-ND
别名：IRFH7191TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ110N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSZ110N08NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 33.8W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ42DN25NS3 G
仓库库存编号：
BSZ42DN25NS3 GCT-ND
别名：BSZ42DN25NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ22DN20NS3 G
仓库库存编号：
BSZ22DN20NS3GCT-ND
别名：BSZ22DN20NS3GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0901NS
仓库库存编号：
BSC0901NSCT-ND
别名：BSC0901NSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），52W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC032N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC032N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC032N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC066N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC066N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC066N06NSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0901NSI
仓库库存编号：
BSZ0901NSICT-ND
别名：BSZ0901NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta）. 100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC025N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC025N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC025N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03MSGINCT
BSC025N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S5L1R9ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
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