产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），76A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS86300DC
仓库库存编号：
FDMS86300DCFSCT-ND
别名：FDMS86300DCFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS7650
仓库库存编号：
FDMS7650CT-ND
别名：FDMS7650CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.3W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19531Q5AT
仓库库存编号：
296-37749-1-ND
别名：296-37749-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
库存产品核实请求
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），108A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS86500DC
仓库库存编号：
FDMS86500DCFSCT-ND
别名：FDMS86500DCFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86300
仓库库存编号：
FDMS86300CT-ND
别名：FDMS86300CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
型号：
FDMS86150
仓库库存编号：
FDMS86150CT-ND
别名：FDMS86150CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18509Q5BT
仓库库存编号：
296-37962-1-ND
别名：296-37962-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16570Q5BT
仓库库存编号：
296-38335-1-ND
别名：296-38335-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS86101DC
仓库库存编号：
FDMS86101DCCT-ND
别名：FDMS86101DCCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），45A（Tc） 2.7W（Ta），113W（Tc） Power56
型号：
FDMS86255
仓库库存编号：
FDMS86255CT-ND
别名：FDMS86255CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），23A（Tc） 2.1W（Ta），32W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ340N08NS3 G
仓库库存编号：
BSZ340N08NS3GINCT-ND
别名：BSZ340N08NS3GINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），39A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC120N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC120N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC120N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03MSGINCT
BSC120N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），23A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC340N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC340N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC340N08NS3 GCT
BSC340N08NS3 GCT-ND
BSC340N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ130N03LS G
仓库库存编号：
BSZ130N03LSGINCT-ND
别名：BSZ130N03LSGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta） 1.23W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMT6016LPS-13
仓库库存编号：
DMT6016LPS-13DICT-ND
别名：DMT6016LPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC093N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC093N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 73A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），73A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17307Q5A
仓库库存编号：
296-25857-1-ND
别名：296-25857-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ097N04LS G
仓库库存编号：
BSZ097N04LSGINCT-ND
别名：BSZ097N04LSGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），81A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC054N04NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC054N04NSGATMA1CT-ND
别名：BSC054N04NS GCT
BSC054N04NS GCT-ND
BSC054N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta），18A（Tc） 29W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ440N10NS3 G
仓库库存编号：
BSZ440N10NS3 GINCT-ND
别名：BSZ440N10NS3 GINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），58A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050NE2LS
仓库库存编号：
BSC050NE2LSCT-ND
别名：BSC050NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17507Q5A
仓库库存编号：
296-27791-1-ND
别名：296-27791-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N06LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
别名：BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3 GCT-ND
BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），57A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC052N03LS
仓库库存编号：
BSC052N03LSCT-ND
别名：BSC052N03LSCT
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