产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(1198)
二极管 - 整流器 - 阵列
(3)
二极管 - 整流器 - 单
(39)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(99)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(1057)
筛选品牌
Diodes Incorporated(100)
Fairchild/ON Semiconductor(195)
Infineon Technologies(346)
Microchip Technology(9)
ON Semiconductor(274)
Rohm Semiconductor(21)
Sanken(18)
STMicroelectronics(5)
Taiwan Semiconductor Corporation(93)
Texas Instruments(100)
Trinamic Motion Control GmbH(2)
Vishay Semiconductor Diodes Division(12)
Vishay Siliconix(23)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），245A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
型号：
FDMS86550ET60
仓库库存编号：
FDMS86550ET60CT-ND
别名：FDMS86550ET60CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 147W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH14N60E-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH14N60E-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH14N60E-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 14A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），45A（Tc） 2.7W（Ta），125W（Tc） Power56
型号：
FDMS86152
仓库库存编号：
FDMS86152CT-ND
别名：FDMS86152CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），198A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
型号：
FDMS86350ET80
仓库库存编号：
FDMS86350ET80CT-ND
别名：FDMS86350ET80CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），128A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
型号：
FDMS86150ET100
仓库库存编号：
FDMS86150ET100CT-ND
别名：FDMS86150ET100CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），63A（Tc） 3.3W（Ta），136W（Tc） Power56
型号：
FDMS86255ET150
仓库库存编号：
FDMS86255ET150CT-ND
别名：FDMS86255ET150CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），352A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NLWFT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C404NLWFT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
NTMFD4C85NT1G
仓库库存编号：
NTMFD4C85NT1GOSCT-ND
别名：NTMFD4C85NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
NTMFD4C86NT1G
仓库库存编号：
NTMFD4C86NT1GOSCT-ND
别名：NTMFD4C86NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH26N60E-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH26N60E-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH26N60E-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.8A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH21N65EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH21N65EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH21N65EF-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0909NSATMA1
仓库库存编号：
BSC0909NSATMA1CT-ND
别名：BSC0909NSATMA1CT-NDTR-ND
BSC0909NSCT
BSC0909NSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），57A（Tc） 2.6W（Ta），33W（Tc） PQFN（3x3）
型号：
IRFHM8329TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8329TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8329TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 2.8W（Ta），37W（Tc）
型号：
IRFHM8326TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8326TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8326TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ130N03MS G
仓库库存编号：
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名：BSZ130N03MSGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），65A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），39.5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ180P03NS3EGATMA1
仓库库存编号：
BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
别名：BSZ180P03NS3EGATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），85A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRLH7134TRPBF
仓库库存编号：
IRLH7134TRPBFCT-ND
别名：IRLH7134TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3W（Ta），30W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8235TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8235TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8235TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ120P03NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），90A（Tc） 3.6W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8324TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8324TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8324TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ100N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ100N03LSGINCT
BSZ100N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ100N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ100N03MSGINCT
BSZ100N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.6W（Ta） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM9391TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM9391TRPBFCT-ND
别名：IRFHM9391TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ060NE2LS
仓库库存编号：
BSZ060NE2LSCT-ND
别名：BSZ060NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
