产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-04 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-04 G-ND
别名:SP000200143
SPB80N03S2L04GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-05 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-05 G-ND
别名:SP000200144
SPB80N03S2L05GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-06 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-06 G-ND
别名:SP000200145
SPB80N03S2L06GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2-04
仓库库存编号:
SPB80N04S2-04-ND
别名:SP000016353
SPB80N04S204T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2-H4
仓库库存编号:
SPB80N04S2-H4-ND
别名:SP000016358
SPB80N04S2H4T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N04S2L-03-ND
别名:SP000016354
SPB80N04S2L03T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S08ATMA1
仓库库存编号:
SPB80N06S08ATMA1TR-ND
别名:SP000054056
SP000084808
SPB80N06S-08
SPB80N06S-08-ND
SPB80N06S08
SPB80N06S08T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2-05-ND
别名:SP000016351
SPB80N06S205T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-07
仓库库存编号:
SPB80N06S2-07-ND
别名:SP000013578
SPB80N06S207T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-08
仓库库存编号:
SPB80N06S2-08-ND
别名:SP000016356
SPB80N06S208T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-09
仓库库存编号:
SPB80N06S2-09-ND
别名:SP000013581
SPB80N06S209T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2-H5-ND
别名:SP000013795
SPB80N06S2H5T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-05-ND
别名:SP000016352
SPB80N06S2L05T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-06
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-06-ND
别名:SP000013577
SPB80N06S2L06T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-07-ND
别名:SP000016357
SPB80N06S2L07T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-09
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-09-ND
别名:SP000013582
SPB80N06S2L09T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-11-ND
别名:SP000013586
SPB80N06S2L11T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-H5-ND
别名:SP000013796
SPB80N06S2LH5T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2-07-ND
别名:SP000016355
SPB80N08S207T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2L-07-ND
别名:SP000016359
SPB80N08S2L07T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L
仓库库存编号:
SPB80N10L-ND
别名:SP000014350
SPB80N10LT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80P06P
仓库库存编号:
SPB80P06P-ND
别名:SP000012841
SPB80P06PT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB03N03LA G
仓库库存编号:
IPB03N03LAGINCT-ND
别名:IPB03N03LAG
IPB03N03LAGINCT
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MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LA G
仓库库存编号:
IPB04N03LAGINCT-ND
别名:IPB04N03LAG
IPB04N03LAGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LB G
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IPB05N03LBGINCT-ND
别名:IPB05N03LBG
IPB05N03LBGINCT
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