产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB08P06P
仓库库存编号:
SPB08P06P-ND
别名:SP000012508
SPB08P06PT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2-03 G-ND
别名:SP000200140
SPB100N03S203GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N04S2-04
仓库库存编号:
SPB100N04S2-04-ND
别名:SP000013711
SPB100N04S204T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N04S2L-03-ND
别名:SP000013712
SPB100N04S2L03T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2-05-ND
别名:SP000013713
SPB100N06S205T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2L-05-ND
别名:SP000013714
SPB100N06S2L05T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N08S2-07
仓库库存编号:
SPB100N08S2-07-ND
别名:SP000013715
SPB100N08S207T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB100N08S2L-07-ND
别名:SP000013716
SPB100N08S2L07T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10
仓库库存编号:
SPB10N10-ND
别名:SP000013845
SPB10N10T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10 G
仓库库存编号:
SPB10N10 G-ND
别名:SP000102168
SPB10N10GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10L
仓库库存编号:
SPB10N10L-ND
别名:SP000013836
SPB10N10LT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10 G
仓库库存编号:
SPB21N10 G-ND
别名:SP000102171
SPB21N10GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10 G
仓库库存编号:
SPB35N10 G-ND
别名:SP000102172
SPB35N10GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13 G
仓库库存编号:
SPB42N03S2L-13 G-ND
别名:SP000200137
SPB42N03S2L13GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB47N10
仓库库存编号:
SPB47N10-ND
别名:SP000012327
SPB47N10T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB47N10L
仓库库存编号:
SPB47N10L-ND
别名:SP000012078
SPB47N10LT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB70N10L
仓库库存编号:
SPB70N10L-ND
别名:SP000012079
SPB70N10LT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB73N03S2L-08 G
仓库库存编号:
SPB73N03S2L-08 G-ND
别名:SP000200138
SPB73N03S2L08GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB77N06S2-12
仓库库存编号:
SPB77N06S2-12-ND
别名:SP000013587
SPB77N06S212T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2-03-ND
别名:SP000016251
SPB80N03S203T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
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MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S203GATMA1
仓库库存编号:
SPB80N03S203GATMA1TR-ND
别名:SP000200139
SPB80N03S2-03 G
SPB80N03S2-03 G-ND
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MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03-ND
别名:SP000016252
SPB80N03S2L03T
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200142
SPB80N03S2L03GXT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-04
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-04-ND
别名:SP000013901
SPB80N03S2L04T
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