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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 68W TO263-3
  详细描述：IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO263-3-2
  
  型号：SKB06N60HSATMA1
  仓库库存编号：SKB06N60HSATMA1TR-ND
  别名：SKB06N60HS
  SKB06N60HS-ND
  SP000014222
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 28A（DC） PG-TO263-3-2
  
  型号：IDB12E120ATMA1
  仓库库存编号：IDB12E120ATMA1TR-ND
  别名：IDB12E120
  IDB12E120-ND
  SP000013640
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 41A（DC） PG-TO263-3-2
  
  型号：IDB23E60ATMA1
  仓库库存编号：IDB23E60ATMA1TR-ND
  别名：IDB23E60
  IDB23E60-ND
  SP000278566
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 45A（Tc） 45W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N04S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPB45N04S4L08ATMA1TR-ND
  别名：IPB45N04S4L-08
  IPB45N04S4L-08-ND
  SP000711444
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2
  详细描述：IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO263-3-2
  
  型号：SKB06N60ATMA1
  仓库库存编号：SKB06N60ATMA1TR-ND
  别名：SKB06N60
  SKB06N60-ND
  SP000012427
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB072N15N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB072N15N3GE8187ATMA1CT-ND
  别名：IPB072N15N3 G E8187CT
  IPB072N15N3 G E8187CT-ND
  IPB072N15N3GE8187
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） PG-TO263-3-2
  
  型号：IDB06S60CATMA2
  仓库库存编号：IDB06S60CATMA2-ND
  别名：SP001139900
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
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