产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(3061)
二极管 - 整流器 - 阵列
(4)
二极管 - 整流器 - 单
(2)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
(4)
晶闸管 - SCR
(104)
晶闸管 - TRIAC
(146)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(89)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(2098)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
(113)
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
(110)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(193)
晶体管 - JFET
(198)
筛选品牌
Diodes Incorporated(46)
Fairchild/ON Semiconductor(1892)
IXYS(2)
Littelfuse Inc.(2)
Microchip Technology(91)
NXP USA Inc.(198)
ON Semiconductor(600)
Renesas Electronics America(16)
Rohm Semiconductor(1)
STMicroelectronics(103)
Texas Instruments(3)
Vishay Semiconductor Diodes Division(1)
WeEn Semiconductors(106)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB113ZS,126
仓库库存编号:
PDTB113ZS,126-ND
别名:934059146126
PDTB113ZS AMO
PDTB113ZS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123ES,126
仓库库存编号:
PDTB123ES,126-ND
别名:934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123TS,126
仓库库存编号:
PDTB123TS,126-ND
别名:934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123YS,126
仓库库存编号:
PDTB123YS,126-ND
别名:934059148126
PDTB123YS AMO
PDTB123YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC114ES,126
仓库库存编号:
PDTC114ES,126-ND
别名:934047440126
PDTC114ES AMO
PDTC114ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC114TS,126
仓库库存编号:
PDTC114TS,126-ND
别名:934047400126
PDTC114TS AMO
PDTC114TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC124ES,126
仓库库存编号:
PDTC124ES,126-ND
别名:934047430126
PDTC124ES AMO
PDTC124ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC143ES,126
仓库库存编号:
PDTC143ES,126-ND
别名:934047420126
PDTC143ES AMO
PDTC143ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC144ES,126
仓库库存编号:
PDTC144ES,126-ND
别名:934047410126
PDTC144ES AMO
PDTC144ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD113ES,126
仓库库存编号:
PDTD113ES,126-ND
别名:934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD113ZS,126
仓库库存编号:
PDTD113ZS,126-ND
别名:934059145126
PDTD113ZS AMO
PDTD113ZS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123ES,126
仓库库存编号:
PDTD123ES,126-ND
别名:934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123TS,126
仓库库存编号:
PDTD123TS,126-ND
别名:934059726126
PDTD123TS AMO
PDTD123TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123YS,126
仓库库存编号:
PDTD123YS,126-ND
别名:934059147126
PDTD123YS AMO
PDTD123YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 15V 0.2A SOT54
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 500MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PH2369,112
仓库库存编号:
PH2369,112-ND
别名:933450090112
PH2369
PH2369-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 15V 0.2A SOT54
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 500MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PH2369,126
仓库库存编号:
PH2369,126-ND
别名:933450090126
PH2369 AMO
PH2369 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 15V 0.2A SOT54
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 500MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PH2369,116
仓库库存编号:
PH2369,116-ND
别名:933450090116
PH2369 T/R
PH2369 T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 3A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS4350S,126
仓库库存编号:
PBSS4350S,126-ND
别名:934056901126
PBSS4350S AMO
PBSS4350S AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PNP 50V 3A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS5350S,126
仓库库存编号:
PBSS5350S,126-ND
别名:934056902126
PBSS5350S AMO
PBSS5350S AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 100V 1A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS8110AS,126
仓库库存编号:
PBSS8110AS,126-ND
别名:934057764126
PBSS8110AS AMO
PBSS8110AS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 100V 1A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS8110S,126
仓库库存编号:
PBSS8110S,126-ND
别名:934057671126
PBSS8110S AMO
PBSS8110S AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PNP 100V 1A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS9110AS,126
仓库库存编号:
PBSS9110AS,126-ND
别名:934057765126
PBSS9110AS AMO
PBSS9110AS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PNP 100V 1A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS9110S,126
仓库库存编号:
PBSS9110S,126-ND
别名:934057673126
PBSS9110S AMO
PBSS9110S AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
BC879,112
仓库库存编号:
BC879,112-ND
别名:933467630112
BC879
BC879-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC144WS,126
仓库库存编号:
PDTC144WS,126-ND
别名:934057558126
PDTC144WS AMO
PDTC144WS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 TO-92-3,
无铅
搜索
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号