产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
详细描述：IGBT 1200V 3.2A 28W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IGD01N120H2BUMA1
仓库库存编号：
IGD01N120H2BUMA1TR-ND
别名：IGD01N120H2
IGD01N120H2-ND
SP000014523
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号：
IPD80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名：IPD80P03P4L-07
IPD80P03P4L-07-ND
IPD80P03P4L-07INTR
IPD80P03P4L-07INTR-ND
SP000396296
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R750E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R750E6ATMA1-ND
别名：SP001117728
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 5A 53.6W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD03N60RFAATMA1
仓库库存编号：
IKD03N60RFAATMA1-ND
别名：SP001205236
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N08S222ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N08S222ATMA1TR-ND
别名：IPD30N08S2-22
IPD30N08S2-22-ND
SP000252169
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80N04S3-06
仓库库存编号：
IPD80N04S306ATMA1CT-ND
别名：IPD80N04S3-06CT
IPD80N04S3-06CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD04N60RAATMA1
仓库库存编号：
IKD04N60RAATMA1-ND
别名：SP000943854
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名：IPD50N10S3L-16CT
IPD50N10S3L-16CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
SGD02N120
仓库库存编号：
SGD02N120BUMA1CT-ND
别名：SGD02N120CT
SGD02N120CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD04N60RFAATMA1
仓库库存编号：
IKD04N60RFAATMA1-ND
别名：SP001205240
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名：SP001117096
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDBTMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
别名：IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDATMA1-ND
别名：SP001117748
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD06N60RAATMA2
仓库库存编号：
IKD06N60RAATMA2TR-ND
别名：IKD06N60RA
IKD06N60RA-ND
SP000979642
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD06N60RFAATMA1
仓库库存编号：
IKD06N60RFAATMA1-ND
别名：SP001170582
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N10S312ATMA1
仓库库存编号：
IPD70N10S312ATMA1CT-ND
别名：IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N10S3L-12
仓库库存编号：
IPD70N10S3L12ATMA1CT-ND
别名：IPD70N10S3L-12CT
IPD70N10S3L-12CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N04S3H4ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND
别名：IPD90N04S3-H4
IPD90N04S3-H4-ND
SP000415584
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD033N06NATMA1
仓库库存编号：
IPD033N06NATMA1-ND
别名：SP001602182
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD08N50C3
仓库库存编号：
SPD08N50C3INCT-ND
别名：SPD08N50C3INCT
SPD08N50C3XTINCT
SPD08N50C3XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N04S304ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N04S304ATMA1CT-ND
别名：IPD90N04S3-04CT
IPD90N04S3-04CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380E6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R380E6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R380E6BTMA1CT
IPD65R380E6CT
IPD65R380E6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R380E6ATMA1-ND
别名：SP001117736
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R420CFDBTMA1
仓库库存编号：
IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
别名：IPD65R420CFDCT
IPD65R420CFDCT-ND
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