产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236950
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO252
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 19.3A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD09E60BUMA1
仓库库存编号：
IDD09E60BUMA1TR-ND
别名：IDD09E60
IDD09E60-ND
SP000013634
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R1K0CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD65R1K0CEAUMA1-ND
别名：SP001421368
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD400N06NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD400N06NGBTMA1CT-ND
别名：IPD400N06NG
IPD400N06NGINCT
IPD400N06NGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名：SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 82W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R650CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R650CEBTMA1-ND
别名：SP001369530
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236948
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R650CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD65R650CEAUMA1-ND
别名：SP001396908
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.1A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R650CEATMA1
仓库库存编号：
IPD65R650CEATMA1-ND
别名：SP001295798
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R600CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R600CEAUMA1-ND
别名：SP001466998
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO252
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD15E60BUMA2
仓库库存编号：
IDD15E60BUMA2TR-ND
别名：IDD15E60
IDD15E60-ND
SP000077587
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 28W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R1K4C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R1K4C6ATMA1-ND
别名：SP001107078
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc） 118W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R400CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD65R400CEAUMA1-ND
别名：SP001466800
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R1K4CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R1K4CFDATMA1-ND
别名：SP001117732
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50P03P4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND
别名：IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N04S309ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N04S309ATMA1TR-ND
别名：IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09-ND
SP000415582
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6A 30W TO252-3
详细描述：IGBT NPT 600V 6A 30W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
SGD02N60BUMA1
仓库库存编号：
SGD02N60BUMA1TR-ND
别名：SGD02N60
SGD02N60-ND
SP000011993
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N04S3-08
仓库库存编号：
IPD50N04S308ATMA1CT-ND
别名：IPD50N04S3-08CT
IPD50N04S3-08CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N03S207ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N03S207ATMA1TR-ND
别名：IPD50N03S2-07
IPD50N03S2-07-ND
SP000254462
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R950CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R950CFDATMA1-ND
别名：SP001117750
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R950C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R950C6ATMA1-ND
别名：SP001107082
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD031N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236957
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD127N06LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD127N06LGBTMA1CT-ND
别名：IPD127N06LG
IPD127N06LGINCT
IPD127N06LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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