产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD042P03L3GATMA1
仓库库存编号：
IPD042P03L3GATMA1CT-ND
别名：IPD042P03L3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD06N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD06N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD06N60C3INCT
SPD06N60C3INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R2K8CEATMA1
仓库库存编号：
IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
别名：IPD80R2K8CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R3K3P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R3K3P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R3K3P7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 75W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD22N08S2L50ATMA1
仓库库存编号：
IPD22N08S2L50ATMA1CT-ND
别名：IPD22N08S2L50ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R2K4P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R2K4P7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD60R600P7SAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R950CFDBTMA1
仓库库存编号：
IPD65R950CFDBTMA1CT-ND
别名：IPD65R950CFDBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 24W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R2K0P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R2K0P7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R1K4CEATMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
别名：IPD80R1K4CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R360P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R360P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD60R360P7SAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R1K2P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R1K2P7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R280P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R280P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD60R280P7SAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R900P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R900P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R900P7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R750P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R750P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R750P7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
LOW POWER_NEW
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R280P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R280P7ATMA1CT-ND
别名：IPD60R280P7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R600P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R600P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R600P7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R180P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD60R180P7SAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R360P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R360P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R360P7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.6A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R3K4CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R3K4CEAUMA1-ND
别名：SP001422856
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 33W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R2K0CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R2K0CEAUMA1-ND
别名：SP001396820
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R1K4CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R1K4CEAUMA1-ND
别名：SP001396808
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R2K0CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R2K0CEAUMA1-ND
别名：SP001466914
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 14.7A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD06E60BUMA1
仓库库存编号：
IDD06E60BUMA1TR-ND
别名：IDD06E60
IDD06E60-ND
SP000077586
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 5.2A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R1K5CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD65R1K5CEAUMA1-ND
别名：SP001422862
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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