产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W TO252
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD06N60RATMA1
仓库库存编号：
IKD06N60RATMA1CT-ND
别名：IKD06N60RATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD530N15N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD530N15N3GATMA1CT-ND
别名：IPD530N15N3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N06NATMA1
仓库库存编号：
IPD053N06NATMA1CT-ND
别名：IPD053N06N-ND
IPD053N06NATMA1CT
IPD053N06NCT
IPD053N06NCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R520C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R520C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPDH6N03LAG
仓库库存编号：
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名：IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号：
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号：
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD10N60RFATMA1
仓库库存编号：
IKD10N60RFATMA1CT-ND
别名：IKD10N60RF-CT
IKD10N60RF-CT-ND
IKD10N60RFATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W TO252
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD10N60RATMA1
仓库库存编号：
IKD10N60RATMA1CT-ND
别名：IKD10N60RATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD15P10PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD15P10PGBTMA1CT-ND
别名：SPD15P10PGBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W TO252
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD06N60RAATMA1
仓库库存编号：
IKD06N60RAATMA1CT-ND
别名：IKD06N60RAATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名：IPD65R380C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPD038N06N3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD15P10PLGBTMA1
仓库库存编号：
SPD15P10PLGBTMA1CT-ND
别名：SPD15P10PL GCT
SPD15P10PL GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPD12CN10NGATMA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPDH4N03LAG
仓库库存编号：
IPDH4N03LAGINCT-ND
别名：IPDH4N03LAGINCT
IPDH4N03LAGXTINCT
IPDH4N03LAGXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S2L06T
仓库库存编号：
SPD50N03S2L06XTINCT-ND
别名：SPD50N03S2L06XTINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 250W TO252
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 30A 250W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD15N60RATMA1
仓库库存编号：
IKD15N60RATMA1CT-ND
别名：IKD15N60RATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD04N03LB G
仓库库存编号：
IPD04N03LBGINCT-ND
别名：IPD04N03LBG
IPD04N03LBGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 30A 250W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD15N60RF
仓库库存编号：
IKD15N60RF-CT-ND
别名：IKD15N60RF-CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3W（Ta），167W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD025N06NATMA1
仓库库存编号：
IPD025N06NATMA1CT-ND
别名：IPD025N06N-ND
IPD025N06NATMA1CT
IPD025N06NCT
IPD025N06NCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 16.1A（Tc） 208W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R250E6XTMA1
仓库库存编号：
IPD65R250E6XTMA1CT-ND
别名：IPD65R250E6XTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD03N03LA G
仓库库存编号：
IPD03N03LAGINCT-ND
别名：IPD03N03LAG
IPD03N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD78CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD78CN10NGBUMA1CT-ND
别名：IPD78CN10N GCT
IPD78CN10N GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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