产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R1K4C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R1K4C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R800CE
仓库库存编号：
IPD50R800CECT-ND
别名：IPD50R800CECT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S2L06GBTMA1
仓库库存编号：
SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
别名：SPD50N03S2L-06 GCT
SPD50N03S2L-06 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.1A（Tc） 98W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R380CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R380CEAUMA1CT-ND
别名：IPD50R380CEAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Tc） 98W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R380CEATMA1
仓库库存编号：
IPD50R380CEATMA1CT-ND
别名：IPD50R380CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD33CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPD33CN10NGATMA1CT-ND
别名：IPD33CN10NGATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R900P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R900P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD70R900P7SAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A
详细描述：N 沟道 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N08N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD135N08N3GATMA1CT-ND
别名：IPD135N08N3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD079N06L3 G
仓库库存编号：
IPD079N06L3 GCT-ND
别名：IPD079N06L3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6.5A 53.6W TO252
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 6.5A 53.6W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD03N60RFATMA1
仓库库存编号：
IKD03N60RFATMA1CT-ND
别名：IKD03N60RFATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 88W TO252-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 12A 88W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IGD06N60TATMA1
仓库库存编号：
IGD06N60TATMA1CT-ND
别名：IGD06N60TATMA1CT
IGD06N60TCT
IGD06N60TCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R950C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R950C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R950C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD04N60RATMA1
仓库库存编号：
IKD04N60RATMA1CT-ND
别名：IKD04N60RATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R600P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD70R600P7SAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GATMA1TR-ND
别名：IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPD180N10N3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
别名：IPD180N10N3GATMA1DKR
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R500CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD50R500CEBTMA1CT-ND
别名：IPD50R500CEIN
IPD50R500CEIN-ND
IPD50R500CEINCT
IPD50R500CEINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号：
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名：IPD35N12S3L24ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT PRODUCTS
详细描述：IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD04N60RFATMA1
仓库库存编号：
IKD04N60RFATMA1CT-ND
别名：IKD04N60RFATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名：IPD096N08N3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD18P06P G
仓库库存编号：
SPD18P06P GCT-ND
别名：SPD18P06P GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD03N50C3
仓库库存编号：
SPD03N50C3INCT-ND
别名：SPD03N50C3INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名：IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 5A 53.6W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD03N60RF
仓库库存编号：
IKD03N60RFCT-ND
别名：IKD03N60RFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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