产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N03M G
仓库库存编号：
IPD031N03M GINCT-ND
别名：IPD031N03M GINCT
IPD031N03MG
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD04N60R
仓库库存编号：
IKD04N60RINCT-ND
别名：IKD04N60RINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD06N60R
仓库库存编号：
IKD06N60RINCT-ND
别名：IKD06N60RINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD10N60R
仓库库存编号：
IKD10N60RINCT-ND
别名：IKD10N60RINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380C6
仓库库存编号：
IPD60R380C6INCT-ND
别名：IPD60R380C6INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R600C6BTMA1CT
IPD60R600C6INCT
IPD60R600C6INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R950C6
仓库库存编号：
IPD60R950C6INCT-ND
别名：IPD60R950C6INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 7.3A TO252-3
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 7.3A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD03E60BUMA1
仓库库存编号：
IDD03E60BUMA1TR-ND
别名：IDD03E60
IDD03E60-ND
SP000013632
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 88W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 12A 88W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IHD06N60RA
仓库库存编号：
IHD06N60RA-ND
别名：IHD06N60RABUMA1
SP000443672
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 110W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 20A 110W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IHD10N60RA
仓库库存编号：
IHD10N60RA-ND
别名：IHD10N60RABUMA1
SP000443668
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 250W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 30A 250W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD15N60R
仓库库存编号：
IKD15N60R-ND
别名：IKD15N60RBTMA1
SP000539764
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S4L23ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N06S4L23ATMA1TR-ND
别名：IPD30N06S4L-23
IPD30N06S4L-23-ND
SP000374320
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S409ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S409ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S4-09
IPD50N06S4-09-ND
SP000374321
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S4L08ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S4L-08
IPD50N06S4L-08-ND
SP000374322
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S404ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S404ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-04
IPD90N06S4-04-ND
SP000374323
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S405ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S405ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-05
IPD90N06S4-05-ND
SP000481510
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S407ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S407ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-07
IPD90N06S4-07-ND
SP000415586
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S4L03ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S4L03ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4L-03
IPD90N06S4L-03-ND
SP000374326
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S4L05ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S4L05ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4L-05
IPD90N06S4L-05-ND
SP000415588
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S4L06ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4L-06
IPD90N06S4L-06-ND
SP000415594
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3
详细描述：IGBT NPT 600V 9.4A 50W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
SGD04N60BUMA1
仓库库存编号：
SGD04N60BUMA1TR-ND
别名：SGD04N60
SGD04N60-ND
SP000011994
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 68W TO252-3
详细描述：IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
SGD06N60BUMA1
仓库库存编号：
SGD06N60BUMA1TR-ND
别名：SGD06N60
SGD06N60-ND
SP000011995
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L07GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07GBTMA1TR-ND
别名：SP000443922
SPD30N03S2L-07 G
SPD30N03S2L-07 G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 3A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD03SG60CXTMA1
仓库库存编号：
IDD03SG60CXTMA1CT-ND
别名：IDD03SG60CCT
IDD03SG60CCT-ND
IDD03SG60CXTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD110N12N3GBUMA1
仓库库存编号：
IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
别名：IPD110N12N3 GCT
IPD110N12N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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