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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 30A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 30A 160W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STW3040
  仓库库存编号：497-8456-5-ND
  别名：497-8456-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 12A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 12A 125W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STWH13009
  仓库库存编号：497-8815-5-ND
  别名：497-8815-5
  STWH13009-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 500V 20A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 500V 20A 125W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STW2040
  仓库库存编号：497-8794-5-ND
  别名：497-8794-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 80A 240W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 80A 240W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW40N120KD
  仓库库存编号：497-10000-5-ND
  别名：497-10000-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 42A（Tc） 215W（Tc） TO-247-3
  
  型号：CMF20120D
  仓库库存编号：CMF20120D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1100V 60A 250W TO247
  详细描述：IGBT 1100V 60A 250W Through Hole TO-247-3
  
  型号：RJH1BF7RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1BF7RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 55A 227.2W Through Hole TO-247-3
  
  型号：RJH1CF6RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1CF6RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 60A 250W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 60A 250W Through Hole TO-247-3
  
  型号：RJH1CF7RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1CF7RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP21N60L
  仓库库存编号：IRFP21N60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 22A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP22N60K
  仓库库存编号：IRFP22N60K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 470W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP26N60L
  仓库库存编号：IRFP26N60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO247-3
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 600V 12A (DC) Through Hole TO-247-3
  
  型号：GDP24D060B
  仓库库存编号：1560-1021-5-ND
  别名：1560-1021-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 1200V 15A (DC) Through Hole TO-247-3
  
  型号：GDP30D120B
  仓库库存编号：1560-1023-5-ND
  别名：1560-1023-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 600V 24A (DC) Through Hole TO-247-3
  
  型号：GDP48Y060B
  仓库库存编号：1560-1027-5-ND
  别名：1560-1027-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 1200V 30A Through Hole TO-247-3
  
  型号：GDP60D120B
  仓库库存编号：1560-1029-5-ND
  别名：1560-1029-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 1200V 30A Through Hole TO-247-3
  
  型号：GDP60Y120B
  仓库库存编号：1560-1030-5-ND
  别名：1560-1030-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• ON Semiconductor
  DIODE SCHOTTKY 60A 200V TO-247
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 30A Through Hole TO-247-3
  
  型号：NTSW60200CTG
  仓库库存编号：NTSW60200CTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 80A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 263W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PHW80NQ10T,127
  仓库库存编号：PHW80NQ10T,127-ND
  别名：934055695127
  PHW80NQ10T
  PHW80NQ10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 100A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PSMN004-55W,127
  仓库库存编号：PSMN004-55W,127-ND
  别名：934055815127
  PSMN004-55W
  PSMN004-55W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PSMN009-100W,127
  仓库库存编号：PSMN009-100W,127-ND
  别名：934055801127
  PSMN009-100W
  PSMN009-100W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 73A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 73A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PSMN020-150W,127
  仓库库存编号：PSMN020-150W,127-ND
  别名：934055779127
  PSMN020-150W
  PSMN020-150W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PSMN040-200W,127
  仓库库存编号：PSMN040-200W,127-ND
  别名：934055781127
  PSMN040-200W
  PSMN040-200W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：供应商器件封装 TO-247-3,
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