产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
PHB112N06T,118
仓库库存编号:
PHB112N06T,118-ND
别名:934056648118
PHB112N06T /T3
PHB112N06T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB153NQ08LT,118
仓库库存编号:
PHB153NQ08LT,118-ND
别名:934058282118
PHB153NQ08LT /T3
PHB153NQ08LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB160NQ08T,118
仓库库存编号:
PHB160NQ08T,118-ND
别名:934058283118
PHB160NQ08T /T3
PHB160NQ08T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 55A(Tc) 85W(Tc) D2PAK
型号:
PHB55N03LTA,118
仓库库存编号:
PHB55N03LTA,118-ND
别名:934056665118
PHB55N03LTA /T3
PHB55N03LTA /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 75A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
PHB96NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHB96NQ03LT,118-ND
别名:934056773118
PHB96NQ03LT /T3
PHB96NQ03LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN003-30B,118
仓库库存编号:
PSMN003-30B,118-ND
别名:934056788118
PSMN003-30B /T3
PSMN003-30B /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
BUZ32 E3045A
仓库库存编号:
BUZ32 E3045A-ND
别名:BUZ32E3045AT
SP000011346
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A(DC) D2PAK
型号:
SDB06S60
仓库库存编号:
SDB06S60-ND
别名:SDB06S60T
SDB06S60XT
SP000013624
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V D2PAK
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 300V 10A (DC) Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
型号:
SDB20S30
仓库库存编号:
SDB20S30-ND
别名:SDB20S30T
SDB20S30XT
SP000013514
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 300V 110A 255W D2PAK
详细描述:IGBT Trench 300V 110A 255W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS4055PBF
仓库库存编号:
IRGS4055PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 300V 70A 178W D2PAK
详细描述:IGBT Trench 300V 70A 178W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS4065PBF
仓库库存编号:
IRGS4065PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540NSTRL
仓库库存编号:
IRL540NSTRLCT-ND
别名:IRL540NSTRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
PHB119NQ06T,118
仓库库存编号:
PHB119NQ06T,118-ND
别名:934058551118
PHB119NQ06T /T3
PHB119NQ06T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 98W(Tc) D2PAK
型号:
PHB23NQ10LT,118
仓库库存编号:
PHB23NQ10LT,118-ND
别名:934055798118
PHB23NQ10LT /T3
PHB23NQ10LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3515STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3515STRLPBFCT-ND
别名:IRF3515STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3704STRLPBFCT-ND
别名:IRF3704STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3711STRLPBFCT-ND
别名:IRF3711STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716SPBF
仓库库存编号:
IRL3716SPBF-ND
别名:SP001568304
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NSPBF
仓库库存编号:
IRF9520NSPBF-ND
别名:SP001551696
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3714STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3709STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 57A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRFZ44VZSTRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRL3715ZSTRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3706STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 D2PAK,
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MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3708STRRPBF-ND
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