产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
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分立半导体产品
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ON Semiconductor
TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
详细描述：RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-59
型号：
MSC2295-BT1G
仓库库存编号：
MSC2295-BT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
详细描述：RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-59
型号：
MSC2295-CT1
仓库库存编号：
MSC2295-CT1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
详细描述：RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-59
型号：
MSC2295-CT1G
仓库库存编号：
MSC2295-CT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323
详细描述：RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
型号：
MSC3930-BT1
仓库库存编号：
MSC3930-BT1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323
详细描述：RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
型号：
MSC3930-BT1G
仓库库存编号：
MSC3930-BT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 15V 30MA TO-72
详细描述：RF Transistor NPN 15V 30mA 4GHz 200mW Through Hole TO-72
型号：
MRF904
仓库库存编号：
MRF904-ND
别名：MRF904MI
MRF904MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE68033-T1B-R44-A
仓库库存编号：
NE68033-T1B-R44-A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE68033-T1B-R45-A
仓库库存编号：
NE68033-T1B-R45-A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE68133-T1B-R33-A
仓库库存编号：
NE68133-T1B-R33-A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE68133-T1B-R34-A
仓库库存编号：
NE68133-T1B-R34-A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE68133-T1B-R35-A
仓库库存编号：
NE68133-T1B-R35-A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-88
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 100mA 200mW Surface Mount 6-SuperMiniMold
型号：
UPA672T-T1-A
仓库库存编号：
UPA672T-T1-ACT-ND
别名：UPA672TT1A
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE68033-T1B-A
仓库库存编号：
NE68033-T1B-ACT-ND
别名：NE68033-T1B-ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE85633-T1B-R25-A
仓库库存编号：
NE85633-T1B-R25-ACT-ND
别名：NE85633-T1B-R25-ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-143
详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-143
型号：
NE85639-T1-A
仓库库存编号：
NE85639-T1-ACT-ND
别名：NE85639-T1-ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE85633-T1B-R23-A
仓库库存编号：
NE85633-T1B-R23-A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE85633-R23-A
仓库库存编号：
NE85633-R23-A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO NPN 15V 40MA TO72
详细描述：RF Transistor NPN 15V 40mA 500MHz 200mW Through Hole TO-72
型号：
2N2857
仓库库存编号：
2N2857-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS RF NPN 200MW 20MA TO72
详细描述：RF Transistor NPN 10V 20mA 400MHz 200mW Through Hole TO-72
型号：
2N5031
仓库库存编号：
2N5031-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA 200mW Surface Mount US6
型号：
SSM6N16FUTE85LF
仓库库存编号：
SSM6N16FUTE85LFCT-ND
别名：SSM6N16FUTE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN2A01FU-GR(TE85LF
仓库库存编号：
HN2A01FU-GR(TE85LFCT-ND
别名：HN2A01FU-GR(TE85LF)CT
HN2A01FU-GR(TE85LF)CT-ND
HN2A01FU-GR(TE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1906(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1906(T5LFT)CT-ND
别名：RN1906(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2901(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2901(T5LFT)CT-ND
别名：RN2901(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2902(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2902(T5LFT)CT-ND
别名：RN2902(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2904(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2904(T5LFT)CT-ND
别名：RN2904(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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