产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBC113EDXV6T1G
仓库库存编号：
NSBC113EDXV6T1GOSCT-ND
别名：NSBC113EDXV6T1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
MMUN2130LT1
仓库库存编号：
MMUN2130LT1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
MMUN2130LT1G
仓库库存编号：
MMUN2130LT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
MMUN2230LT1
仓库库存编号：
MMUN2230LT1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
MMUN2230LT1G
仓库库存编号：
MMUN2230LT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
型号：
MUN2130T1
仓库库存编号：
MUN2130T1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
型号：
MUN2130T1G
仓库库存编号：
MUN2130T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5130DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5130DW1T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5230DW1T1
仓库库存编号：
MUN5230DW1T1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
含铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号：
DTB113ESTP
仓库库存编号：
DTB113ESTPTB-ND
别名：DTB113ESTP-ND
DTB113ESTPTB
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号：
DTB113ESTP
仓库库存编号：
DTB113ESTPCT-ND
别名：DTB113ESTPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2962FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2962FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2962FE(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB113ES,126
仓库库存编号：
PDTB113ES,126-ND
别名：934059144126
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD113ES,126
仓库库存编号：
PDTD113ES,126-ND
别名：934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTD113EK,115
仓库库存编号：
PDTD113EK,115-ND
别名：934058965115
PDTD113EK T/R
PDTD113EK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PBRN113EK,115
仓库库存编号：
PBRN113EK,115-ND
别名：934058955115
PBRN113EK T/R
PBRN113EK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRN113ES,126
仓库库存编号：
PBRN113ES,126-ND
别名：934058999126
PBRN113ES AMO
PBRN113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRP113ES,126
仓库库存编号：
PBRP113ES,126-ND
别名：934059135126
PBRP113ES AMO
PBRP113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA113EK,115
仓库库存编号：
PDTA113EK,115-ND
别名：934058836115
PDTA113EK T/R
PDTA113EK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA113ES,126
仓库库存编号：
PDTA113ES,126-ND
别名：934058783126
PDTA113ES AMO
PDTA113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTB113EK,115
仓库库存编号：
PDTB113EK,115-ND
别名：934058968115
PDTB113EK T/R
PDTB113EK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 1k,
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