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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 120MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
  
  型号：BCR 151L3 E6327
  仓库库存编号：BCR 151L3 E6327-ND
  别名：BCR151L3E6327XT
  SP000014865
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 100k,
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• Infineon Technologies
  TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 120MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
  
  型号：BCR 151T E6327
  仓库库存编号：BCR 151T E6327-ND
  别名：BCR151TE6327XT
  SP000014815
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 100k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTA115ES,126
  仓库库存编号：PDTA115ES,126-ND
  别名：934058152126
  PDTA115ES AMO
  PDTA115ES AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 100k,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTA115TS,126
  仓库库存编号：PDTA115TS,126-ND
  别名：934058778126
  PDTA115TS AMO
  PDTA115TS AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 100k,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTC115ES,126
  仓库库存编号：PDTC115ES,126-ND
  别名：934057567126
  PDTC115ES AMO
  PDTC115ES AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 100k,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTC115TS,126
  仓库库存编号：PDTC115TS,126-ND
  别名：934058784126
  PDTC115TS AMO
  PDTC115TS AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 100k,
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