产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN2108ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2108ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN2108ACT(TPL3)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN2117(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2117(T5LFT)CT-ND
别名：RN2117(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN2118(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2118(T5LFT)CT-ND
别名：RN2118(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN2107ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2107ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN2107ACT(TPL3)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
型号：
UMF24NTR
仓库库存编号：
UMF24NTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2902,LF
仓库库存编号：
RN2902LFCT-ND
别名：RN2902LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4901,LF
仓库库存编号：
RN4901LFCT-ND
别名：RN4901LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号：
RN1406S,LF(D
仓库库存编号：
RN1406SLF(D-ND
别名：RN1406SLF(D
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号：
RN2402S,LF(D
仓库库存编号：
RN2402SLF(D-ND
别名：RN2402SLF(D
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号：
RN1109MFV,L3F
仓库库存编号：
RN1109MFVL3F-ND
别名：RN1109MFVL3F
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
型号：
RN2104MFV,L3F
仓库库存编号：
RN2104MFVL3F-ND
别名：RN2104MFVL3F
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 15V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA323TK,115
仓库库存编号：
PDTA323TK,115-ND
别名：934059207115
PDTA323TK T/R
PDTA323TK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB113ES,126
仓库库存编号：
PDTB113ES,126-ND
别名：934059144126
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB113ZS,126
仓库库存编号：
PDTB113ZS,126-ND
别名：934059146126
PDTB113ZS AMO
PDTB113ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123ES,126
仓库库存编号：
PDTB123ES,126-ND
别名：934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTB123TK,115
仓库库存编号：
PDTB123TK,115-ND
别名：934059205115
PDTB123TK T/R
PDTB123TK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123TS,126
仓库库存编号：
PDTB123TS,126-ND
别名：934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123YS,126
仓库库存编号：
PDTB123YS,126-ND
别名：934059148126
PDTB123YS AMO
PDTB123YS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 15V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC323TK,115
仓库库存编号：
PDTC323TK,115-ND
别名：934059206115
PDTC323TK T/R
PDTC323TK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD113ES,126
仓库库存编号：
PDTD113ES,126-ND
别名：934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD113ZS,126
仓库库存编号：
PDTD113ZS,126-ND
别名：934059145126
PDTD113ZS AMO
PDTD113ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123ES,126
仓库库存编号：
PDTD123ES,126-ND
别名：934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTD123TK,115
仓库库存编号：
PDTD123TK,115-ND
别名：934059204115
PDTD123TK T/R
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产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 集电极截止（最大值） 500nA,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123TS,126
仓库库存编号：
PDTD123TS,126-ND
别名：934059726126
PDTD123TS AMO
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详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
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PDTD123YS,126
仓库库存编号：
PDTD123YS,126-ND
别名：934059147126
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