产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA144TS,126
仓库库存编号：
PDTA144TS,126-ND
别名：934058151126
PDTA144TS AMO
PDTA144TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA144VS,126
仓库库存编号：
PDTA144VS,126-ND
别名：934058779126
PDTA144VS AMO
PDTA144VS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA144WS,126
仓库库存编号：
PDTA144WS,126-ND
别名：934057565126
PDTA144WS AMO
PDTA144WS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114YS,126
仓库库存编号：
PDTC114YS,126-ND
别名：934057566126
PDTC114YS AMO
PDTC114YS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC115ES,126
仓库库存编号：
PDTC115ES,126-ND
别名：934057567126
PDTC115ES AMO
PDTC115ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC115TS,126
仓库库存编号：
PDTC115TS,126-ND
别名：934058784126
PDTC115TS AMO
PDTC115TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123ES,126
仓库库存编号：
PDTC123ES,126-ND
别名：934057568126
PDTC123ES AMO
PDTC123ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123JS,126
仓库库存编号：
PDTC123JS,126-ND
别名：934057569126
PDTC123JS AMO
PDTC123JS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123YS,126
仓库库存编号：
PDTC123YS,126-ND
别名：934058786126
PDTC123YS AMO
PDTC123YS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124TS,126
仓库库存编号：
PDTC124TS,126-ND
别名：934057570126
PDTC124TS AMO
PDTC124TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124XS,126
仓库库存编号：
PDTC124XS,126-ND
别名：934057571126
PDTC124XS AMO
PDTC124XS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143TS,126
仓库库存编号：
PDTC143TS,126-ND
别名：934057572126
PDTC143TS AMO
PDTC143TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143XS,126
仓库库存编号：
PDTC143XS,126-ND
别名：934057573126
PDTC143XS AMO
PDTC143XS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143ZS,126
仓库库存编号：
PDTC143ZS,126-ND
别名：934057574126
PDTC143ZS AMO
PDTC143ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144TS,126
仓库库存编号：
PDTC144TS,126-ND
别名：934057575126
PDTC144TS AMO
PDTC144TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144VS,126
仓库库存编号：
PDTC144VS,126-ND
别名：934058785126
PDTC144VS AMO
PDTC144VS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 25V 0.5A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 500mA 170MHz 500mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC 818K-25 E6327
仓库库存编号：
BC 818K-25 E6327-ND
别名：SP000271900
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 800mA 170MHz 500mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCW66KHB6327HTLA1
仓库库存编号：
BCW66KHB6327HTLA1TR-ND
别名：BCW 66KH B6327
BCW 66KH B6327-ND
SP000271905
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER 62V 500MW SOD80C
详细描述：Zener Diode 62V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C
型号：
BZV55-C62,115
仓库库存编号：
1727-1634-1-ND
别名：1727-1634-1
568-11169-1
568-11169-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER 62V 500MW SOD80C
详细描述：Zener Diode 62V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C
型号：
BZV55-C62,115
仓库库存编号：
1727-1634-6-ND
别名：1727-1634-6
568-11169-6
568-11169-6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 45V SOT323-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 170MHz 500mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC817K40E6359HTMA1
仓库库存编号：
BC817K40E6359HTMA1-ND
别名：SP000271897
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANSISTOR AF SOT23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 800mA 170MHz 500mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
BCW66KE6359HTMA1
仓库库存编号：
BCW66KE6359HTMA1-ND
别名：SP000271901
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
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