产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(11672)
二极管 - 齐纳 - 单
(10868)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(728)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
(53)
晶体管 - JFET
(23)
筛选品牌
Aeroflex Metelics, Division of MACOM(129)
Central Semiconductor Corp(366)
Comchip Technology(159)
Diodes Incorporated(512)
Fairchild/Micross Components(1)
Fairchild/ON Semiconductor(959)
Infineon Technologies(11)
Micro Commercial Co(252)
Microsemi Corporation(3643)
Nexperia USA Inc.(302)
NXP USA Inc.(104)
ON Semiconductor(624)
Rohm Semiconductor(354)
SMC Diode Solutions(103)
STMicroelectronics(15)
Taiwan Semiconductor Corporation(883)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay Semiconductor Diodes Division(3240)
Vishay Siliconix(12)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
TRANS NPN 300V 0.1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA42,126
仓库库存编号：
MPSA42,126-ND
别名：933274320126
MPSA42 AMO
MPSA42 AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 300V 0.1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA42,116
仓库库存编号：
MPSA42,116-ND
别名：933274320116
MPSA42 T/R
MPSA42 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 200V 0.1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA43,116
仓库库存编号：
MPSA43,116-ND
别名：933535470116
MPSA43 T/R
MPSA43 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30V 500mA 125MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA64,116
仓库库存编号：
MPSA64,116-ND
别名：933601380116
MPSA64 T/R
MPSA64 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA114ES,126
仓库库存编号：
PDTA114ES,126-ND
别名：934047380126
PDTA114ES AMO
PDTA114ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA114TS,126
仓库库存编号：
PDTA114TS,126-ND
别名：934047390126
PDTA114TS AMO
PDTA114TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA124ES,126
仓库库存编号：
PDTA124ES,126-ND
别名：934047370126
PDTA124ES AMO
PDTA124ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA144ES,126
仓库库存编号：
PDTA144ES,126-ND
别名：934047350126
PDTA144ES AMO
PDTA144ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB113ES,126
仓库库存编号：
PDTB113ES,126-ND
别名：934059144126
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB113ZS,126
仓库库存编号：
PDTB113ZS,126-ND
别名：934059146126
PDTB113ZS AMO
PDTB113ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123ES,126
仓库库存编号：
PDTB123ES,126-ND
别名：934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123TS,126
仓库库存编号：
PDTB123TS,126-ND
别名：934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123YS,126
仓库库存编号：
PDTB123YS,126-ND
别名：934059148126
PDTB123YS AMO
PDTB123YS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114ES,126
仓库库存编号：
PDTC114ES,126-ND
别名：934047440126
PDTC114ES AMO
PDTC114ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114TS,126
仓库库存编号：
PDTC114TS,126-ND
别名：934047400126
PDTC114TS AMO
PDTC114TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124ES,126
仓库库存编号：
PDTC124ES,126-ND
别名：934047430126
PDTC124ES AMO
PDTC124ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143ES,126
仓库库存编号：
PDTC143ES,126-ND
别名：934047420126
PDTC143ES AMO
PDTC143ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144ES,126
仓库库存编号：
PDTC144ES,126-ND
别名：934047410126
PDTC144ES AMO
PDTC144ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD113ES,126
仓库库存编号：
PDTD113ES,126-ND
别名：934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD113ZS,126
仓库库存编号：
PDTD113ZS,126-ND
别名：934059145126
PDTD113ZS AMO
PDTD113ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123ES,126
仓库库存编号：
PDTD123ES,126-ND
别名：934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123TS,126
仓库库存编号：
PDTD123TS,126-ND
别名：934059726126
PDTD123TS AMO
PDTD123TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123YS,126
仓库库存编号：
PDTD123YS,126-ND
别名：934059147126
PDTD123YS AMO
PDTD123YS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 15V 0.2A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 500MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PH2369,112
仓库库存编号：
PH2369,112-ND
别名：933450090112
PH2369
PH2369-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 15V 0.2A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 500MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PH2369,126
仓库库存编号：
PH2369,126-ND
别名：933450090126
PH2369 AMO
PH2369 AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
458
459
460
461
462
463
464
465
466
467
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
