产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER
详细描述：Zener Diode 250mW Through Hole DO-35 (DO-204AH)
型号：
1N764
仓库库存编号：
1N764-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER
详细描述：Zener Diode 250mW
型号：
1N768
仓库库存编号：
1N768-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 2.6V 250MW DO7
详细描述：Zener Diode 250mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N702
仓库库存编号：
1N702-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER
详细描述：Zener Diode 250mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
1N702A
仓库库存编号：
1N702A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER
详细描述：Zener Diode 250mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N703
仓库库存编号：
1N703-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 120V 250MW DO35
详细描述：Zener Diode 250mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N740
仓库库存编号：
1N740-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 120V 250MW DO35
详细描述：Zener Diode 250mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
1N740A
仓库库存编号：
1N740A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 130V 250MW DO35
详细描述：Zener Diode 250mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N741
仓库库存编号：
1N741-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 130V 250MW DO35
详细描述：Zener Diode 250mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
1N741A
仓库库存编号：
1N741A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 150V 250MW DO35
详细描述：Zener Diode 250mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N742
仓库库存编号：
1N742-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 150V 250MW DO35
详细描述：Zener Diode 250mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
1N742A
仓库库存编号：
1N742A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 160V 250MW DO35
详细描述：Zener Diode 250mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N743
仓库库存编号：
1N743-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 160V 250MW DO35
详细描述：Zener Diode 250mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
1N743A
仓库库存编号：
1N743A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BC850BWH6327XTSA1
仓库库存编号：
BC850BWH6327XTSA1TR-ND
别名：BC 850BW H6327
BC 850BW H6327-ND
SP000747416
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BC850CWH6327XTSA1
仓库库存编号：
BC850CWH6327XTSA1TR-ND
别名：BC 850CW H6327
BC 850CW H6327-ND
SP000747418
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BC860BWH6327XTSA1
仓库库存编号：
BC860BWH6327XTSA1TR-ND
别名：BC 860BW H6327
BC 860BW H6327-ND
SP000747586
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BC860CWH6327XTSA1
仓库库存编号：
BC860CWH6327XTSA1TR-ND
别名：BC 860CW H6327
BC 860CW H6327-ND
SP000747588
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR108WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR108WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 108W H6327
BCR 108W H6327-ND
SP000750780
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR108WH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR108WH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 108W H6433
BCR 108W H6433-ND
SP000757882
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR112WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR112WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 112W H6327
BCR 112W H6327-ND
SP000750790
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR116WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR116WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 116W H6327
BCR 116W H6327-ND
BCR116WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000754072
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR119WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR119WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 119W H6327
BCR 119W H6327-ND
BCR119WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000755044
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR129WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR129WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 129W H6327
BCR 129W H6327-ND
BCR129WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000755048
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR133WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR133WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 133W H6327
BCR 133W H6327-ND
BCR133WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756246
产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR135WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR135WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 135W H6327
BCR 135W H6327-ND
BCR135WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
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产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 250mW,
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