产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
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Bourns Inc.
TRANS NPN 500V 4A SOT-93
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 500V 4A 12MHz 100W Through Hole SOT-93
型号:
TIPL761B-S
仓库库存编号:
TIPL761B-S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
无铅
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Bourns Inc.
TRANS NPN 550V 4A SOT-93
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 550V 4A 12MHz 100W Through Hole SOT-93
型号:
TIPL761C-S
仓库库存编号:
TIPL761C-S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TRANS NPN 400V 4A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 4A 12MHz 100W Through Hole SOT-93
型号:
TIPL761-S
仓库库存编号:
TIPL761-S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
无铅
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Bourns Inc.
TRANS NPN 400V 5A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 5A 12MHz 100W Through Hole TO-220
型号:
BUT11-S
仓库库存编号:
BUT11-S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO254
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 100W Through Hole TO-254AA
型号:
JAN2N7370
仓库库存编号:
1086-16223-ND
别名:1086-16223
1086-16223-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO254
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 100W Through Hole TO-254AA
型号:
JANTX2N7370
仓库库存编号:
1086-16224-ND
别名:1086-16224
1086-16224-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO254
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 100W Through Hole TO-254AA
型号:
JANTXV2N7370
仓库库存编号:
1086-16225-ND
别名:1086-16225
1086-16225-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 100V 12A TO254
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 100W Through Hole TO-254AA
型号:
JANTXV2N7371
仓库库存编号:
1086-16226-ND
别名:1086-16226
1086-16226-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC30UD2
仓库库存编号:
IRGBC30UD2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT STD 600V 34A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC30S
仓库库存编号:
IRGBC30S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 31A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC30FD2
仓库库存编号:
IRGPC30FD2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC30FD2
仓库库存编号:
IRGBC30FD2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC30U
仓库库存编号:
IRGBC30U-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT FAST 600V 31A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC30F
仓库库存编号:
IRGBC30F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30F
仓库库存编号:
IRG4BC30F-ND
别名:*IRG4BC30F
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30U
仓库库存编号:
IRG4BC30U-ND
别名:*IRG4BC30U
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30W
仓库库存编号:
IRG4BC30W-ND
别名:*IRG4BC30W
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 34A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30S
仓库库存编号:
IRG4BC30S-ND
别名:*IRG4BC30S
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC30KD
仓库库存编号:
IRG4PC30KD-ND
别名:*IRG4PC30KD
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH30KD
仓库库存编号:
IRG4PH30KD-ND
别名:*IRG4PH30KD
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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IGBT 600V 28A 100W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 28A 100W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC30K-S
仓库库存编号:
IRG4BC30K-S-ND
别名:*IRG4BC30K-S
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC30U-S
仓库库存编号:
IRG4BC30U-S-ND
别名:*IRG4BC30U-S
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30K
仓库库存编号:
IRG4BC30K-ND
别名:*IRG4BC30K
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC30W-S
仓库库存编号:
IRG4BC30W-S-ND
别名:*IRG4BC30W-S
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
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IGBT 600V 28A 100W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC30K
仓库库存编号:
IRG4PC30K-ND
别名:*IRG4PC30K
产品分类:分立半导体产品,规格:Power - Max 100W,
含铅
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