以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-263AA
  
  型号：IXYA8N90C3D1
  仓库库存编号：IXYA8N90C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT NPT 600V 38A 125W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXDR35N60BD1
  仓库库存编号：IXDR35N60BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 32A 125W SMPD
  详细描述：IGBT PT 1200V 32A 125W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA20RG1200DHGLB-TRR
  仓库库存编号：IXA20RG1200DHGLB-TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 32A 125W SMPD
  详细描述：IGBT PT 1200V 32A 125W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA20RG1200DHGLB
  仓库库存编号：IXA20RG1200DHGLB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
  详细描述：IGBT NPT 600V 38A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FID36-06D
  仓库库存编号：FID36-06D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
  详细描述：IGBT NPT 600V 38A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FID35-06C
  仓库库存编号：FID35-06C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MODULE IGBT CBI E2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 600V 35A 125W Chassis Mount E2
  
  型号：MUBW20-06A7
  仓库库存编号：MUBW20-06A7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TRANS NPN 250V 8A TO3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 8A 125W Through Hole TO-204AA (TO-3)
  
  型号：JAN2N6306
  仓库库存编号：1086-21103-ND
  别名：1086-21103
  1086-21103-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TRANS NPN 350V 8A TO3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 8A 125W Through Hole TO-204AA (TO-3)
  
  型号：JAN2N6308
  仓库库存编号：1086-21106-ND
  别名：1086-21106
  1086-21106-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TRANS NPN 350V 8A TO3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 8A 125W Through Hole TO-204AA (TO-3)
  
  型号：JANTX2N6308
  仓库库存编号：1086-21107-ND
  别名：1086-21107
  1086-21107-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TRANS NPN 250V 8A TO3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 8A 125W Through Hole TO-204AA (TO-3)
  
  型号：JANTXV2N6306
  仓库库存编号：1086-21105-ND
  别名：1086-21105
  1086-21105-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TRANS NPN 350V 8A TO3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 8A 125W Through Hole TO-204AA (TO-3)
  
  型号：JANTXV2N6308
  仓库库存编号：1086-21108-ND
  别名：1086-21108
  1086-21108-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 650V 40A 170W TO220-3
  详细描述：IGBT Trench 650V 42A 125W Through Hole PG-TO-220-3
  
  型号：IGP20N65F5XKSA1
  仓库库存编号：IGP20N65F5XKSA1-ND
  别名：SP001132998
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 650V TO220-3
  详细描述：IGBT Trench 650V 42A 125W Through Hole PG-TO-220-3
  
  型号：IKP20N65F5XKSA1
  仓库库存编号：IKP20N65F5XKSA1-ND
  别名：SP001133076
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2
  详细描述：IGBT NPT 1200V 16.5A 125W Surface Mount PG-TO263-3-2
  
  型号：SGB07N120ATMA1
  仓库库存编号：SGB07N120ATMA1TR-ND
  别名：SGB07N120
  SGB07N120-ND
  SP000012559
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN 100V 25A TO-3P
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 25A 20MHz 125W Through Hole TO-3P
  
  型号：2STC2510
  仓库库存编号：497-6956-5-ND
  别名：497-6956-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS PNP 100V 25A TO-3P
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 25A 20MHz 125W Through Hole TO-3P
  
  型号：2STA2510
  仓库库存编号：497-6955-5-ND
  别名：497-6955-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN DARL 80V 10A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 10A 125W Through Hole TO-218
  
  型号：TIP141
  仓库库存编号：497-2534-5-ND
  别名：497-2534-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN 700V 8A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 8A 7MHz 125W Through Hole TO-247-3
  
  型号：BU508A
  仓库库存编号：497-2599-5-ND
  别名：497-2599-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS PNP DARL 80V 10A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 10A 125W Through Hole TO-218
  
  型号：TIP146
  仓库库存编号：497-2617-5-ND
  别名：497-2617-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS PNP DARL 60V 10A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 10A 125W Through Hole TO-218
  
  型号：TIP145
  仓库库存编号：497-2620-5-ND
  别名：497-2620-5
  TIP145-TO218-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 60V 10A TO218AC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 125W Through Hole TO-247-3
  
  型号：TIP140
  仓库库存编号：TIP140OS-ND
  别名：TIP140OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 100V 10A TO218AC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole TO-247-3
  
  型号：TIP142
  仓库库存编号：TIP142OS-ND
  别名：TIP142OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 100V 10A TO218AC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 10A 125W Through Hole TO-218
  
  型号：TIP147
  仓库库存编号：TIP147OS-ND
  别名：TIP147OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 100V 25A TO218AC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 25A 3MHz 125W Through Hole SOT-93
  
  型号：TIP35C
  仓库库存编号：TIP35COS-ND
  别名：TIP35COS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Power - Max 125W,
• 
  
  含铅
• 搜索