产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 512 B6327
仓库库存编号：
BCR 512 B6327-ND
别名：BCR512B6327XT
SP000056341
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 519 E6327
仓库库存编号：
BCR 519 E6327-ND
别名：BCR519E6327XT
SP000015052
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 569 E6327
仓库库存编号：
BCR 569 E6327-ND
别名：BCR569E6327XT
SP000015053
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRP113ES,126
仓库库存编号：
PBRP113ES,126-ND
别名：934059135126
PBRP113ES AMO
PBRP113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRP113ZS,126
仓库库存编号：
PBRP113ZS,126-ND
别名：934059137126
PBRP113ZS AMO
PBRP113ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRP123ES,126
仓库库存编号：
PBRP123ES,126-ND
别名：934059133126
PBRP123ES AMO
PBRP123ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRP123YS,126
仓库库存编号：
PBRP123YS,126-ND
别名：934059139126
PBRP123YS AMO
PBRP123YS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA113EK,115
仓库库存编号：
PDTA113EK,115-ND
别名：934058836115
PDTA113EK T/R
PDTA113EK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA113ES,126
仓库库存编号：
PDTA113ES,126-ND
别名：934058783126
PDTA113ES AMO
PDTA113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA113ZK,115
仓库库存编号：
PDTA113ZK,115-ND
别名：934058835115
PDTA113ZK T/R
PDTA113ZK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA113ZS,126
仓库库存编号：
PDTA113ZS,126-ND
别名：934058782126
PDTA113ZS AMO
PDTA113ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA114YS,126
仓库库存编号：
PDTA114YS,126-ND
别名：934057576126
PDTA114YS AMO
PDTA114YS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA115ES,126
仓库库存编号：
PDTA115ES,126-ND
别名：934058152126
PDTA115ES AMO
PDTA115ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA115TS,126
仓库库存编号：
PDTA115TS,126-ND
别名：934058778126
PDTA115TS AMO
PDTA115TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA123ES,126
仓库库存编号：
PDTA123ES,126-ND
别名：934057559126
PDTA123ES AMO
PDTA123ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA123JS,126
仓库库存编号：
PDTA123JS,126-ND
别名：934057560126
PDTA123JS AMO
PDTA123JS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA123TK,115
仓库库存编号：
PDTA123TK,115-ND
别名：934059944115
PDTA123TK T/R
PDTA123TK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA123YE,115
仓库库存编号：
PDTA123YE,115-ND
别名：934058802115
PDTA123YE T/R
PDTA123YE T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA123YK,115
仓库库存编号：
PDTA123YK,115-ND
别名：934058834115
PDTA123YK T/R
PDTA123YK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA123YS,126
仓库库存编号：
PDTA123YS,126-ND
别名：934058781126
PDTA123YS AMO
PDTA123YS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA124TS,126
仓库库存编号：
PDTA124TS,126-ND
别名：934058153126
PDTA124TS AMO
PDTA124TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA124XS,126
仓库库存编号：
PDTA124XS,126-ND
别名：934057561126
PDTA124XS AMO
PDTA124XS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA143TS,126
仓库库存编号：
PDTA143TS,126-ND
别名：934057562126
PDTA143TS AMO
PDTA143TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA143XS,126
仓库库存编号：
PDTA143XS,126-ND
别名：934057563126
PDTA143XS AMO
PDTA143XS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA143ZS,126
仓库库存编号：
PDTA143ZS,126-ND
别名：934057564126
PDTA143ZS AMO
PDTA143ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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