产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 146L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 146L3 E6327-ND
别名：BCR146L3E6327XT
SP000014860
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 146T E6327
仓库库存编号：
BCR 146T E6327-ND
别名：BCR146TE6327XT
SP000014776
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 148 B6327
仓库库存编号：
BCR 148 B6327-ND
别名：BCR148B6327XT
SP000056351
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 148F B6327
仓库库存编号：
BCR 148F B6327-ND
别名：BCR148FB6327XT
SP000013051
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 148F E6327
仓库库存编号：
BCR 148F E6327-ND
别名：BCR148FE6327XT
SP000013050
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 148L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 148L3 E6327-ND
别名：BCR148L3E6327XT
SP000014861
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 148T E6327
仓库库存编号：
BCR 148T E6327-ND
别名：BCR148TE6327XT
SP000012805
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR148WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR148WE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 148W E6327
BCR 148W E6327-ND
BCR148WE6327
BCR148WE6327XT
SP000010783
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 149F E6327
仓库库存编号：
BCR 149F E6327-ND
别名：BCR149FE6327XT
SP000014849
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 149L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 149L3 E6327-ND
别名：BCR149L3E6327XT
SP000014862
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 149T E6327
仓库库存编号：
BCR 149T E6327-ND
别名：BCR149TE6327XT
SP000014814
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 120MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 151F E6327
仓库库存编号：
BCR 151F E6327-ND
别名：BCR151FE6327XT
SP000014863
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 120MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 151L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 151L3 E6327-ND
别名：BCR151L3E6327XT
SP000014865
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 120MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 151T E6327
仓库库存编号：
BCR 151T E6327-ND
别名：BCR151TE6327XT
SP000014815
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 153F E6327
仓库库存编号：
BCR 153F E6327-ND
别名：BCR153FE6327XT
SP000014444
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 153L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 153L3 E6327-ND
别名：BCR153L3E6327XT
SP000014866
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 153T E6327
仓库库存编号：
BCR 153T E6327-ND
别名：BCR153TE6327XT
SP000014764
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 158 B6327
仓库库存编号：
BCR 158 B6327-ND
别名：BCR158B6327XT
SP000056353
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 158F E6327
仓库库存编号：
BCR 158F E6327-ND
别名：BCR158FE6327XT
SP000013053
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 158L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 158L3 E6327-ND
别名：BCR158L3E6327XT
SP000014867
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 158T E6327
仓库库存编号：
BCR 158T E6327-ND
别名：BCR158TE6327XT
SP000012806
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR158WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR158WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 158W E6327
BCR 158W E6327-ND
BCR158WE6327
BCR158WE6327XT
SP000012761
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 162 B6327
仓库库存编号：
BCR 162 B6327-ND
别名：BCR162B6327XT
SP000056352
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 162F E6327
仓库库存编号：
BCR 162F E6327-ND
别名：BCR162FE6327XT
SP000014445
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 162L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 162L3 E6327-ND
别名：BCR162L3E6327XT
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