产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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分立半导体产品
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ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 0.15A NPA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 200MHz 500mW Through Hole TO-226AA
型号：
2SA608NF-NPA-AT
仓库库存编号：
2SA608NF-NPA-AT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 0.15A NPA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 200MHz 500mW Through Hole TO-226AA
型号：
2SA608NG-NPA-AT
仓库库存编号：
2SA608NG-NPA-AT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 50V 0.15A NPA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 200MHz 500mW Through Hole TO-226AA
型号：
2SC536NF-NPA-AT
仓库库存编号：
2SC536NF-NPA-AT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 50V 0.15A NPA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 200MHz 500mW Through Hole TO-226AA
型号：
2SC536NG-NPA-AT
仓库库存编号：
2SC536NG-NPA-AT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 1A NMP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 1A 150MHz 900mW Through Hole 3-NMP
型号：
2SA1705T-AN
仓库库存编号：
2SA1705T-AN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 2A NMP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 150MHz 1W Through Hole 3-NMP
型号：
2SA1706T-AN
仓库库存编号：
2SA1706T-AN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 3A NMP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 150MHz 1W Through Hole 3-NMP
型号：
2SA1707T-AN
仓库库存编号：
2SA1707T-AN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 2A NMP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 420MHz 900mW Through Hole 3-NMP
型号：
2SA2186-AN
仓库库存编号：
2SA2186-AN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 0.15A CP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 180MHz 200mW Surface Mount
型号：
2SA1179N6-CPA-TB-E
仓库库存编号：
2SA1179N6-CPA-TB-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 50V 0.15A CP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 100MHz 200mW Surface Mount 3-CP
型号：
2SC2812N6-CPA-TB-E
仓库库存编号：
2SC2812N6-CPA-TB-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号：
DTB113ESTP
仓库库存编号：
DTB113ESTPTB-ND
别名：DTB113ESTP-ND
DTB113ESTPTB
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号：
DTB113ESTP
仓库库存编号：
DTB113ESTPCT-ND
别名：DTB113ESTPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50V 0.1A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 100mW Surface Mount CST3
型号：
2SA2154CT-Y(TPL3)
仓库库存编号：
2SA2154CT-Y(TPL3)CT-ND
别名：2SA2154CT-Y(TPL3)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号：
RN1106MFV(TL3,T)
仓库库存编号：
RN1106MFV(TL3T)CT-ND
别名：RN1106MFV(TL3T)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1109(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1109(T5LFT)CT-ND
别名：RN1109(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1112(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1112(T5LFT)CT-ND
别名：RN1112(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1117(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1117(T5LFT)CT-ND
别名：RN1117(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1118(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1118(T5LFT)CT-ND
别名：RN1118(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 50V 0.8A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Surface Mount
型号：
JAN2N2222AUA
仓库库存编号：
1086-2325-ND
别名：1086-2325
1086-2325-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 50V 0.8A TO18
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-218
型号：
JANTX2N2222AL
仓库库存编号：
1086-2676-ND
别名：1086-2676
1086-2676-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 50V 0.8A TO46
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-46-3
型号：
JANTXV2N5582
仓库库存编号：
1086-3094-ND
别名：1086-3094
1086-3094-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 50V 0.8A TO-39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39
型号：
2N2219AL
仓库库存编号：
2N2219AL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1101ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1101ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1101ACT(TPL3)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1102ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1102ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1102ACT(TPL3)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1103ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1103ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1103ACT(TPL3)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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