产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR166WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR166WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 166W H6327
BCR 166W H6327-ND
BCR166WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000750764
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR169WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR169WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 169W H6327
BCR 169W H6327-ND
BCR169WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756844
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR183WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR183WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 183W H6327
BCR 183W H6327-ND
BCR183WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000757002
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR191WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR191WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 191W H6327
BCR 191W H6327-ND
SP000757896
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR192WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR192WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 192W H6327
BCR 192W H6327-ND
SP000757898
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR196WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR196WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 196W H6327
BCR 196W H6327-ND
SP000757902
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR198WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR198WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 198W H6327
BCR 198W H6327-ND
SP000757912
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR185WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR185WH6327XTSA1CT-ND
别名：BCR 185W H6327CT
BCR 185W H6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR142WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR142WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 142W H6327
BCR 142W H6327-ND
BCR142WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756260
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR553E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR553E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 553 E6327
BCR 553 E6327-ND
BCR553E6327XT
SP000010854
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR521E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR521E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 521 E6327CT
BCR 521 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR573E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR573E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 573 E6327CT
BCR 573 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR583E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR583E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 583 E6327CT
BCR 583 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA144VE,115
仓库库存编号：
PDTA144VE,115-ND
别名：934058811115
PDTA144VE T/R
PDTA144VE T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA114TE,115
仓库库存编号：
PDTA114TE,115-ND
别名：934051770115
PDTA114TE T/R
PDTA114TE T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA114EK,115
仓库库存编号：
PDTA114EK,115-ND
别名：934036750115
PDTA114EK T/R
PDTA114EK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTC114EE,115
仓库库存编号：
568-8090-1-ND
别名：568-8090-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTC143ZE,115
仓库库存编号：
568-2165-1-ND
别名：568-2165-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 50V 0.15A SC75
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号：
2PA1774S,115
仓库库存编号：
568-8464-1-ND
别名：568-8464-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA113ZE,115
仓库库存编号：
PDTA113ZE,115-ND
别名：934058803115
PDTA113ZE T/R
PDTA113ZE T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA124XE,115
仓库库存编号：
PDTA124XE,115-ND
别名：934051600115
PDTA124XE T/R
PDTA124XE T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA123TE,115
仓库库存编号：
PDTA123TE,115-ND
别名：934059935115
PDTA123TE T/R
PDTA123TE T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA113EE,115
仓库库存编号：
PDTA113EE,115-ND
别名：934058804115
PDTA113EE T/R
PDTA113EE T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 50V 0.15A SC-75
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号：
2PA1774Q,115
仓库库存编号：
2PA1774Q,115-ND
别名：2PA1774Q T/R
2PA1774Q T/R-ND
934050950115
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTC143XE,115
仓库库存编号：
PDTC143XE,115-ND
别名：934055051115
PDTC143XE T/R
PDTC143XE T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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