产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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Microsemi Corporation
NPN TRANSISTOR
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
型号：
JANSH2N2222A
仓库库存编号：
JANSH2N2222A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS PNP 1=20PCS
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz Surface Mount Die
型号：
CP788X-2N5087-CT20
仓库库存编号：
CP788X-2N5087-CT20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Microsemi Corporation
NPN TRANSISTOR
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Surface Mount 3-SMD
型号：
JANS2N2222AUBC
仓库库存编号：
JANS2N2222AUBC-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
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Microsemi Corporation
NPN TRANSISTOR
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Surface Mount 3-SMD
型号：
JANS2N2221AUBC
仓库库存编号：
JANS2N2221AUBC-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS PNP LNA CHIP FORM
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz Surface Mount Die
型号：
CP788X-2N5087-CT
仓库库存编号：
CP788X-2N5087-CT-ND
别名：CP788X2N5087CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR119E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR119E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 119 E6327
BCR 119 E6327-ND
BCR119E6327BTSA1
BCR119E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR119E6327XT
SP000010752
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR129E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR129E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 129 E6327
BCR 129 E6327-ND
BCR129E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR129E6327XT
SP000012520
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR162E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR162E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 162 E6327
BCR 162 E6327-ND
BCR162E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR162E6327XT
SP000010785
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR169E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR169E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 169 E6327
BCR 169 E6327-ND
BCR169E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR169E6327XT
SP000010793
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR192E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR192E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 192 E6327
BCR 192 E6327-ND
BCR192E6327XT
SP000010812
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR196E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR196E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 196 E6327
BCR 196 E6327-ND
BCR196E6327XT
SP000014762
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR146E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR146E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 146 E6327CT
BCR 146 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR185E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR185E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 185 E6327CT
BCR 185 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR191E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR191E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 191 E6327CT
BCR 191 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR108WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR108WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 108W H6327
BCR 108W H6327-ND
SP000750780
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR108WH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR108WH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 108W H6433
BCR 108W H6433-ND
SP000757882
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR112WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR112WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 112W H6327
BCR 112W H6327-ND
SP000750790
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR116WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR116WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 116W H6327
BCR 116W H6327-ND
BCR116WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000754072
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR119WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR119WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 119W H6327
BCR 119W H6327-ND
BCR119WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000755044
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR129WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR129WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 129W H6327
BCR 129W H6327-ND
BCR129WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000755048
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR133WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR133WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 133W H6327
BCR 133W H6327-ND
BCR133WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756246
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR135WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR135WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 135W H6327
BCR 135W H6327-ND
BCR135WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756252
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR141WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR141WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 141W H6327
BCR 141W H6327-ND
BCR141WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756258
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR148WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR148WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 148W H6327
BCR 148W H6327-ND
BCR148WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756268
产品分类：分立半导体产品,规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR158WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR158WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 158W H6327
BCR 158W H6327-ND
BCR158WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
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