产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 160V 200mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-26
型号：
DMMT5551S-7-F
仓库库存编号：
DMMT5551S-7-FDICT-ND
别名：DMMT5551S-7-FDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
型号：
DDC123JH-7
仓库库存编号：
DDC123JH-7DICT-ND
别名：DDC123JH-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
型号：
RN1705JE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1705JE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1705JE(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 600mA 300MHz 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号：
FMBM5551
仓库库存编号：
FMBM5551CT-ND
别名：FMBM5551CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 130MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
ZXTN5551FLTA
仓库库存编号：
ZXTN5551FLCT-ND
别名：ZXTN5551FLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
型号：
IMH10AT110
仓库库存编号：
IMH10AT110CT-ND
别名：IMH10AT110CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 160V 0.6A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 130MHz 2W Surface Mount SOT-223
型号：
ZXTN5551GTA
仓库库存编号：
ZXTN5551GCT-ND
别名：ZXTN5551GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
型号：
UMD22NTR
仓库库存编号：
UMD22NCT-ND
别名：UMD22NTRCT
UMD22NTRCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 130MHz 2.25W Surface Mount PowerDI? 5
型号：
DXT5551P5-13
仓库库存编号：
DXT5551P5-13CT-ND
别名：DXT5551P5-13CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN1506(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1506(TE85LF)CT-ND
别名：RN1506(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN1505(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1505(TE85LF)CT-ND
别名：RN1505(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1965(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1965(TE85LF)CT-ND
别名：RN1965(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92
型号：
2N5551
仓库库存编号：
2N5551CS-ND
别名：2N5551 TIN/LEAD
2N5551_D26Z
2N5551CS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS NPN 160V 0.3A SOT23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 300mA 300MHz 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号：
PMBT5551,215
仓库库存编号：
1727-4325-1-ND
别名：1727-4325-1
568-5034-1
568-5034-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS NPN 160V 0.3A SOT23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 300mA 300MHz 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号：
BSR19A,215
仓库库存编号：
1727-5376-1-ND
别名：1727-5376-1
568-6818-1
568-6818-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
型号：
DTC143ZUBTL
仓库库存编号：
DTC143ZUBTLCT-ND
别名：DTC143ZUBTLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 100mA 200mW Surface Mount SST3
型号：
DTA123JCAT116
仓库库存编号：
DTA123JCAT116CT-ND
别名：DTA123JCAT116CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号：
DTA143ZCAT116
仓库库存编号：
DTA143ZCAT116CT-ND
别名：DTA143ZCAT116CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN2105ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2105ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN2105ACT(TPL3)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN2106ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2106ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN2106ACT(TPL3)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4988(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4988(T5LFT)CT-ND
别名：RN4988(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1908FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1908FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1908FE(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2908FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2908FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2908FE(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1968(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1968(TE85LF)CT-ND
别名：RN1968(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN2604(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2604(TE85LF)CT-ND
别名：RN2604(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V,
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